Главная страница | Контакты | Случайная страница Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Центральный процессор. На данном этапе решаются следующие основные задачи:

На данном этапе решаются следующие основные задачи:

• рассчитывается физическая структура ИС (диффузионный профиль, электрофизические параметры в различных диффузионных слоях) для заданной последовательности технологических операций с заданными параметрами и проводится оптимизация параметров технологического процесса для получения заданной физической структуры;

• рассчитываются характеристики и параметры резистивных и транзисторных планарно-эпитаксиальных струк­тур с учетом двумерного распределения плотности носителей заряда;

• проводится оптимизация физической структуры и топо­логии биполярного или МОП-транзистора при наложении ограничений на его параметры;

• рассчитываются характеристики, параметры металлизированных внутрисхемных соединений (с учетом их распределенного или сосредоточенного характера) и их взаимное влияние.

Физическая структура ИС определяется требованиями к основному транзистору, оказывающему наиболее сильное влияние на параметры схемы.

Изменяя только геометрию компонентов, можно полу­чать их различные характеристики.

Выбор оптимальной геометрии компонентов ИС (осо­бенно транзисторов) становится в настоящее время одной из важнейших задач. Практически для каждой ИС следует брать геометрию компонентов, наиболее целосообразную в данном конкретном случае. На­пример, если в схеме используются транзисторы, вклю­ченные параллельно, то предпочтительно использовать общий коллектор внутри одной изолированной области; если схема должна обеспечивать высокую скорость пере­ключения, то используют компоненты малых геометриче­ских размеров; если схемы должны работать при больших токах, то используют компоненты с увеличенными геометрическими размерами.

Проектирование ИС ведется на освоенном технологиче­ском процессе, либо для разрабатываемой серии ИС создает­ся новый технологический процесс. В зависимости от этого определяется и характер задач, решаемых на рассматривае­мом этапе проектирования. В том случае, когда проектиро­вание ведется на освоенном технологическом процессе, необ­ходимо получить электрические параметры активных ком­понентов различной геометрической конфигурации, причем желательны те параметры, которые описывают модели ком­понентов, используемые на этапе схемотехнического проек­тирования.

На первых этапах развития микроэлектроники логи­ческие ИС в смысле схемотехники представляли аналоги уже известных схем, выполненных на дискретных компонентах. Структурно-топологически они представляли собой сформи­рованные в одном кристалле полупроводника активные и пассивные компоненты, расположенные в отдельных изоли­рованных областях и объединенные в функциональную схему металлизацией. При таком способе изготовления схемотехни­ческие и структурно-топологические решения были слабо взаимосвязаны. Сейчас получили большое распространение функционально-интегрированные элементы, в которых одни и те же области полупроводниковой физической структуры выполняют различные функции.

Завершается этап определением численных значений пара­метров компонентов различной геометрической конфигурации для имеющихся или предполагаемых технологических про­цессов изготовления ИС. В случае необходимости определяет­ся комплекс требований ко вновь разрабатываемому техноло­гическому процессу изготовления ИС.

Центральный процессор

Память