Читайте также:
|
Переход находится под обратным напряжением, если знаки клемм источника питания противоположны знакам ОНЗ соответствующих областей перехода.
p n
0НЗ
Ө
ОНЗ
ЕВН IОБР
ЕВНЕШН
о о
UОБР
– поле, вызванное потенциальным барьером перехода.
Потенциальный барьер – это разность потенциалов, возникающая за счет наличия отрицательных ионов примеси в полупроводнике p-типа и положительных ионов примеси в полупроводнике n-типа. всегда направлено из n-области в p-область.
– поле, вызванное внешним источником питания 
.
Эти поля совпадают по направлению (сонаправлены), поэтому суммарное поле будет равно: 
.
Под действие суммарного поля ОНЗ начнут оттягиваться от границ перехода вглубь полупроводников. При этом толщина перехода, а, следовательно, и его сопротивление увеличатся, ток через такой контакт будет протекать очень незначительный.
Причем, этот ток будет образован движением ННЗ, т.е. будет являться дрейфовым током. Ток диффузии в данном случае будет стремиться к нулю. Таким образом, ток, протекающий через обратно смещенный переход, будет равен: 
, где 
- тепловой ток (т.к. этот ток сильно зависит от температуры, с ростом температуры он резко возрастает.).
Тепловой ток мал по величине, т.к. сопротивление обратно смещенного перехода велико.
Дата добавления: 2014-12-19; просмотров: 36 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав |