|
Читайте также: |
Если напряженность электрического поля достигнет значения 
и переход будет очень тонкий (с толщиной запирающего слоя 
), возможен туннельный пробой – переход электронов из валентной зоны (ВЗ) одного полупроводника в зону проводимости (ЗП) другого полупроводника без изменения энергии.
Механизм туннельного пробоя:
Электрон, движущийся в сторону очень узкого перехода, под действием очень сильного поля пройдет через переход, как через туннель, и займет свободный уровень с такой же энергией по другую сторону перехода.
Таким образом, обязательным условием туннельного пробоя, кроме сильного поля и тонкого перехода, является наличие свободного уровня по другую сторону перехода. При этом ВЗ одного полупроводника должна находиться на одном уровне с ЗП другого полупроводника.
На туннельном пробое работают туннельные диоды.
Туннельный и лавинный пробои обратимы – снятие обратного напряжения полностью восстанавливает свойства p-n перехода.
Внутренний и внешний фотоэффект
Дата добавления: 2014-12-19; просмотров: 57 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав |