Читайте также:
|
|
В случае вспышки заболевания в закрытом коллективе или во время эпидемии гриппа эффективность прививки значительно снижается, поскольку для формирования полноценного иммунитета требуется как минимум 1-2 недель.
Поэтому если вакцинация не проводилась, особенно у людей из группы риска, целесообразен профилактический прием противовирусных средств.
Римантадин принимают ежедневно в одно и то же время в дозе 50 мг не более 30 дней.
Также эффективен озельтамивир (Тамифлю) в дозе 75мг 2 раза в сутки в течение 6 недель.
Для экстренной профилактики можно также применять специфический противогриппозный иммуноглобулин, особенно у больных иммунодефицитом
Понятие о дислокациях. Основные типы дислокаций. Линейные дислокации. Винтовые дислокации.
Дислокационная теория пластического течения исходит из
предположения, что процесс скольжения начинается всегда в местах
нарушения структуры кристалла и распространяется по плоскости
сдвига путем последовательного перемещения этого искажения,
охватывающего в каждый момент лишь относительно небольшое ко-
личество атомов. Искажения такого рода называются дислокациями.
Рассмотрим основные типы дислокаций.
Линейные дислокации. Пусть в кристалле К по плоскости
ABCD произошло скольжение в направлении вектора
b на участке
AHED (рис. 2.9).
Атомные плоскости, расположенные по обе стороны от плоско-
сти скольжения AHED, претерпевают смещение друг относительно
друга на расстояние b в направлении скольжения. Граница НЕ, отде-
ляющая область AHED, в которой скольжение произошло, от области
НВСЕ, которая не охвачена еще скольжением, представляет собой
линейную дислокацию; вектор
b называется вектором сдвига, или вектором Бюргерса. Он характеризует степень развития скольжения в
области AHED.
На рис. 2.10 показано расположение атомов в плоскости, пер-
пендикулярной линии дислокации.
В результате сдвига, произошедшего на участке AHED, в верхней
части решетки оказывается на одну атомную плоскость (на плоскость
ОМ) больше, чем в нижней части решетки. Вследствие этого атомный
ряд 1, лежащий над плоскостью сдвига, содержит на один атом
больше, чем ряд 2, расположенный под этой плоскостью. Расстояние
между атомами верхнего ряда у точки О (центр дислокации) будет
поэтому меньше нормального (решетка сжата), а расстояние между
атомами нижнего ряда у точки О будет больше нормального (решетка
растянута). По мере перемещения от центра дислокации вправо и
влево, вверх и вниз искажение решетки постепенно уменьшается и на
некотором расстоянии от О в кристалле восстанавливается нормаль-
ное расположение атомов. В направлении же, перпендикулярном
плоскости чертежа, дислокация проходит через весь кристалл или
значительную его часть.
Таким образом, характерным для линейной дислокации является
наличие «лишней» атомной плоскости ОМ в части решетки кристалла.
Поэтому образование такой дислокации можно представить себе как
процесс раздвигания решетки и введения в нее дополнительной
плоскости. Эту плоскость называют экстраплоскостью. Если плос-
кость введена в верхнюю часть решетки, линейная дислокация счи-
тается положительной (рис. 2.10, а), если же дополнительная плос-
кость введена в нижнюю часть решетки, дислокация считается отри-
цательной (рис. 2.10, б). Дислокацию, у которой вектор смещения ра-
вен постоянной решетки, называют единичной дислокацией, или дис-
локацией единичной мощности. Прохождение единичной дислокации через сечение кристалла приводит к смещению одной его части от-
носительно другой на b. Продвижение положительной дислокации
влево вызывает такое же смещение частей решетки, как и прохожде-
ние отрицательной дислокации вправо (рис. 2.10, а, б).
Винтовые дислокации. Предположим, что в кристалле К про-
изведен незавершенный единичный сдвиг в направлении вектора b
на площади ABCD, как показано на рис. 2.11, a; AD – граница рас-
пространения сдвига.
На рис. 2.11, б белыми кружками показаны атомы плоскости, распо-
ложенной непосредственно над плоскостью скольжения, черными
кружками – атомы атомной плоскости, расположенной под плоско-
стью скольжения. В недеформированной части кристалла, лежащей
левее границы AD, атомы этих плоскостей располагаются друг над
другом, поэтому черные кружки совмещены с белыми (белый кружок
с точкой в центре). В правой части кристалла, где произошел сдвиг на
одно атомное расстояние, т. е. в области, лежащей правее ЕН, атомы
рассматриваемых плоскостей располагаются также один над другим.
В узкой же полоске АВЕН атомы верхней плоскости смещены отно-
сительно атомов нижней плоскости и тем сильнее, чем дальше они
отстоят от границы AD. Это смещение вызывает местное (локальное)
искажение решетки, получившее название винтовой дислокации;
граница AD называется осью дислокации. Происхождение названия
винтовой дислокации легко понять из рис. 2.12: перемещение от атома
а к атомам b, с, d, е и т. д. (рис. 2.12, а), лежащим в области винтовой
дислокации, происходит, как видно из рис. 2.12, б, по винтовой линии.
Дата добавления: 2014-12-20; просмотров: 62 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав |
<== предыдущая лекция | | | следующая лекция ==> |
Неспецифическая лекарственная терапия при гриппе | | | Основные свойства и характеристики ощущений |