Кремниевые лавинные диоды по сравнению с обычными полупроводниковыми диодами обладают тем преимуществом, что при превышении напряжения пробоя р—п- переходом не разрушается, а пропускает большой ток в обратном направлении. До тех пор, пока допустимая термическая мощность потерь в закрытом состоянии или при импульсной нагрузке допустимый интеграл квадрата тока 
не превышаются, не наступает разрушения запорного слоя (контролируемый пробой). Диоды Зенера находят применение дли защиты от перенапряжений в электронных схемах. Для обеспечения ЭМС были разработаны специальные кремниевые лавинные диоды с большим по площади р—п- переходом для высокого допустимого тока в обратном направлении (ограничительные диоды, стабилитроны, диоды-поглотители и т. д.). Кремниевые лавинные диоды имеют, как и варисторы, время срабатывания в субнаносекундном диапазоне которое, однако, на практике из-за индуктивности токопроводов перемешается в наносекундньгй диапазон. Аналогично варисторам они имеют сравнительно большие емкости (до 15000 пФ), что препятствует их применению в высокочастотных системах (исключение: последовательное включение с малоемкостными диодами).
Кремниевые лавинные диоды являются обычно однополярными конструктивными элементами. Путем встречного последовательного включения двух диодов получают симметричную характеристику. Выбор кремниевых лавинных диодов происходит аналогично выбору варисторов на основании характеристик или предельных данных, даваемых изготовителем.
Дата добавления: 2014-12-23; просмотров: 27 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав |