Главная страница | Контакты | Случайная страница Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Классификация изделий микроэлектроники

№ 37 емтихан билеті

1. Нан пісіру пештері. Тоннелді пештер.

2.Қоректендіргіштер. Оның түрлері мен маңызы.

3.Калорифер. Оның маңызы. Сызып көрсетіңіз.

Билет «___ӨҮМжА______» кафедрасының мәжілісінде талқыланды және ұсынылды

(16 қараша2013ж. № 4 хаттама)

Классификация изделий микроэлектроники

Функциональную сложность ИС характеризуют степенью интеграции, т. е. количест-вом элементов (чаще всего транзисторов) на кристалле. Для ее количественной оценки ис-пользуют условный коэффициент k = lgN, где N – количество элементов. В зависимости от значения k ИС подразделяются:

k ≤ 2 (N ≤ 100) – интегральная схема (ИС) – Integrated Circuit (IC);

2 ≤ k ≤ 3 (N ≤ 1000) – интегральная схема средней степени интеграции (СИС) – Medium Scale Integration (MSI);

3 ≤ k ≤ 5 (N ≤ 10⁵) – большая интегральная схема (БИС) – Large Scale Integration (LSI);

k > 5 (N > 10⁵) – сверхбольшая интегральная схема (СБИС) – Very Large Scale Inte-gration (VLSI).

В последнее время появляются ИС, содержащие на одном кристалле свыше нескольких миллионов элементов, такие ИС называются ультрабольшими интегральными схемами (УБИС) [3].

Кроме степени интеграции, используют показатель плотность упаковки элементов на кристалле – число элементов, приходящихся на единицу его площади.

Уровень технологии характеризуется минимальным технологическим размером Δ, т. е. наименьшими достижимыми размерами легированной области в полупроводниковом слое или пленочном слое на поверхности, например минимальной шириной эмиттера, шириной проводников, расстояниями между ними.

По функциональному назначению ИС подразделяются на аналоговые и цифровые. Ана-логовые ИС предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по за-кону непрерывной функции. В их основе лежат простейшие усилительные каскады. Самой распространенной аналоговой ИС является операционный усилитель (ОУ). Цифровые ИС предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискрет-ной функции. В их основе лежат транзисторные ключи, способные находиться в двух устой-чивых состояниях: открытом и закрытом. Использование транзисторных ключей дает воз-можность создавать различные логические, триггерные и другие ИС [5].

По конструктивно-технологическому признаку различают полупроводниковые и гибри-дные интегральные схемы. В полупроводниковых ИС все элементы и межэлементные соеди-нения изготовлены в объеме и на поверхности полупроводника. В гибридных ИС на диэлект-рической подложке изготавливаются пленочные пассивные элементы (резисторы, конденса-торы) и устанавливаются навесные активные и пассивные компоненты. Промежуточным ти-пом ИС являются совмещенные интегральные схемы, в которых транзисторы изготавливают-ся в активном слое кремния, а пленочные резисторы и диоды – как и проводники на изолиру-ющем слое двуокиси кремния.

Для изготовления интегральных схем используется групповой метод производства и планарная технология.

Групповой метод производства заключается в том, что, во-первых, на одной пластине полупроводникового материала одновременно изготавливается большое количество интег-ральных схем; во-вторых, если позволяет технологический процесс, то одновременно обра-батываются десятки таких пластин. После завершения цикла изготовления ИС пластина раз-резается в двух взаимно-перпендикулярных направлениях на отдельные кристаллы (chip – англ.), каждый из которых представляет собой ИС.

Планарная технология – такая организация технологического процесса, когда все эле-менты и их составляющие создаются в интегральной схеме путем их формирования через плоскость (plane – плоскость).

Одна или несколько технологических операций при изготовлении ИС заключается в со-единении отдельных элементов в схему и присоединении их к специальным контактным площадкам. Поэтому необходимо, чтобы выводы всех элементов и контактные площадки на-ходились в одной плоскости. Такую возможность обеспечивает планарная технология [3].