Читайте также:
|
Тема: МДП-транзисторы
Задание:
1. Построить выходные статические характеристики МДП-транзистора IС = f(UСИ) при UЗИ = const в диапазонах изменений напряжений | UЗИ | = 0…5 В, | UСИ | = 0…5 В для заданного варианта параметров, приведенных ниже в таблице (условные обозначения соответствуют [1]).
2. Построить статическую характеристику передачи IС = f(UЗИ) при UСИ = const того же транзистора при условии, что транзистор работает на пологой части выходных характеристик.
3. Рассчитать крутизну характеристики передачи транзистора S в рабочей точке по постоянному току, приведенной в таблице.
4. Определить графически значения крутизны характеристики передачи в той же рабочей точке по выходным и передаточной характеристикам. Сопоставить полученные значения с рассчитанными в п.3.
5. Рассчитать значения y -параметров МДП-транзистора в той же рабочей точке для схемы включения с общим истоком.
6. Изобразить эквивалентную схему рассматриваемого МДП-транзистора для диапазона низких частот.
| Вариант задания | Тип канала | μps, см2/(В∙с) | C зк, пФ/мкм2 | U ЗИпор, В | b, мкм | l, мкм | Рабочая точка | |
| | U ЗИ|, В | | UСИ |, В | |||||||
| n- | 9,0∙10-4 | 0,76 | 3,1 | 2,0 | 2,5 | |||
| n- | 8,7∙10-4 | 0,63 | 4,3 | 3,0 | 3,0 | |||
| n- | 9,6∙10-4 | 0,93 | 5,7 | 2,5 | 4,5 | |||
| n- | 1,3∙10-3 | 1,1 | 4,1 | 4,0 | 3,5 | |||
| n- | 8,8∙10-4 | - 0,78 | 2,7 | 1,5 | 3,5 | |||
| n- | 9,2∙10-4 | - 1,2 | 5,1 | 2,5 | ||||
| n- | 1,4∙10-3 | - 0,94 | 3,3 | 1,0 | 4,0 | |||
| p- | - 210 | 9,1∙10-4 | - 0,81 | 3,7 | 2,5 | 2,5 | ||
| p- | - 180 | 7,6∙10-4 | - 1,1 | 5,6 | 3,0 | 2,5 | ||
| p- | - 220 | 1,5∙10-3 | - 1,2 | 2,3 | 3,5 | 3,0 | ||
| p- | - 190 | 8,3∙10-4 | - 0,97 | 4,1 | 4,0 | 5,0 | ||
| p- | - 230 | 1,1∙10-3 | 0,83 | 3,9 | 2,0 | 4,5 | ||
| p- | - 200 | 9,3∙10-4 | 0,77 | 7,7 | 1,5 | 3,5 | ||
| p- | - 160 | 1,2∙10-3 | 1,3 | 5,5 | 2,5 |
Контрольная работа № 2
Задание:
Вариант 1
1. Изобразить энергетические диаграммы p-n- перехода при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном внешних напряжениях.
2. Записать соотношения для полной толщины резкого p-n- перехода, резкого несимметричного p-n- перехода, толщины плавного p-n- перехода с линейным распределением примесей.
3. Записать соотношения для барьерной емкости для резкого p-n- перехода, несимметричного резкого p-n- перехода и для плавного p-n- перехода с линейным распределением примесей.
Вариант 2
1. Пояснить с помощью энергетической диаграммы образование омического перехода на контакте полупроводников с одним типом электропроводности.
2. Обосновать условия образования омического перехода на контакте металла с полупроводником.
3. Перечислить требования, свойства и параметры омических переходов.
Вариант 3
1. Изобразить вольт-амперную характеристику диода при прямом и обратном включениях.
2. Привести упрощенные соотношения для плотности тока насыщения и прямого тока диода.
3. Дать определения основных параметров диода: активное сопротивление, диффузионная емкость, постоянная времени.
Вариант 4
1. Перечислить основные типы диодов.
2. Перечислить и дать определения основных характеристик и параметров выпрямительных диодов, импульсных диодов, стабилитронов, туннельных диодов, варикапов.
3. Привести и пояснить особенности типовых вольт-амперных характеристик выпрямительных кремниевых диодов, стабилитронов, туннельных диодов.
Вариант 5
1. Изобразить структуру биполярного транзистора, перечислить основные режимы его работы, описать распределение стационарных потоков носителей заряда в различных режимах.
2. Перечислить и пояснить основные статические параметры биполярного транзистора в различных режимах.
3. Привести семейства входных и выходных статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схемам с общей базой и с общим эмиттером.
Вариант 6
1. Записать малосигнальные параметры четырехполюсника, эквивалентного транзистору.
2. Привести формулы перехода между системами параметров, их перерасчет из одной схемы включения транзистора в другую.
Вариант 7
1. Определить формальные и физические эквивалентные схемы транзисторов.
2. Показать эквивалентные схемы одномерной теоретической модели биполярного транзистора.
3. Изобразить полные эквивалентные схемы биполярного транзистора.
Вариант 8
1. Описать структуру и принцип действия диодного тиристора.
2. Описать функционирование триодного тиристора.
3. Перечислить и пояснить способы управления тиристорами.
Вариант 9
1. Пояснить структуру и принцип действия полевого транзистора с управляющим переходом.
2. Определить статические характеристики полевого транзистора с управляющим переходом.
3. Привести формулы расчета статических характеристик и эквивалентные схемы полевого транзистора с управляющим переходом.
Вариант 10
1. Представить структуру МДП-транзистора, принцип его действия, статические характеристики.
2. Привести соотношения для статических характеристик и параметров МДП-транзисторов.
3. Описать структуру и принцип действия приборов с зарядовой связью.
Вариант 11
1. Перечислить задачи и принципы микроэлектроники, классификацию интегральных микросхем.
2. Описать методы изоляции элементов интегральных микросхем, формирования активных и пассивных элементов.
Вариант 12
1. Описать принцип действия и конструкцию полупроводниковых приборов отображения информации.
2. Пояснить особенности работы фоторезисторов, фотодиодов, полупроводниковых фотоэлементов, фототранзисторов.
3. Дать описания оптопары и оптоэлектронной микросхемы.
Вариант 13
1. Описать принципы действия и основные характеристики термисторов прямого подогрева, болометров и позисторов.
2. Пояснить принципы действия преобразователей Холла, магниторезисторов, магнитодиодов и магнитотранзисторов.
Вариант 14
1. Записать малосигнальные параметры четырехполюсника, эквивалентного транзистору.
2. Привести формулы перехода между системами параметров, их перерасчет из одной схемы включения транзистора в другую.
Дата добавления: 2014-12-15; просмотров: 29 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав |