|
Подготовить должностные задачи и обязанности, права и ответственность юриста.
ЛЕКЦІЯ 5
Тема: Інтегральні схеми мікроелектроніки
План лекції:
5.1. Класифікація та умовні графічні позначення інтегральних мікросхем.
5.2. Гібридні ІМС
5.3. Напівпровідникові ІМС
5.4. Цифрові та аналогові ІМС
Інтегральна мікросхема – це мікроелектронний виріб, що виконує певну функцію перетворення та обробки сигналу і має не менше п'яти елементів (транзисторів, діодів, резисторів, конденсаторів), які неподільно зв'язані і електрично з'єднані між собою так, що пристрій розглядається як єдине ціле.
Рисунок 5.1 – Класифікація інтегральних мікросхем
З погляду інтеграції, тобто об'єднання багатьох елементів електронної схеми в одному монокристалі напівпровідника, основними параметрами інтегральних мікросхем є щільність упакування і ступінь інтеграції.
Щільність упакування – це число елементів електронної схеми в одному кубічному сантиметрі об'єму інтегральної мікросхеми.
Ступінь інтеграції визначається кількістю елементів, що входять до складу інтегральної мікросхеми: якщо ІМС містить до 10 елементів, то її називають інтегральною мікросхемою малого ступеня інтеграції; від 10 до 100 - середнього ступеня; від 100 до 1000 – великого ступеня; більше 1000 - надвеликого ступеня інтеграції.
За конструктивно - технологічною ознакою ІМС розділяють на напівпровідникові, гібридні та плівкові.
Гібридні ІМС
Гібридна ІМС – це інтегральна мікросхема, пасивні елементи якої виконані за допомогою нанесення різних плівок на поверхні діелектричної підкладки зі скла, кераміки, а активні елементи – навісні напівпровідникові прилади без корпусів.
Щільність упакування гібридних інтегральних мікросхем до 150 ел./см3, а ступінь інтеграції звичайно середній і малий.
Дата добавления: 2014-11-24; просмотров: 139 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав |