Студопедия  
Главная страница | Контакты | Случайная страница

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Гібридні ІМС

Подготовить должностные задачи и обязанности, права и ответственность юриста.

 

ЛЕКЦІЯ 5

Тема: Інтегральні схеми мікро­електроніки

 

План лекції:

5.1. Класифікація та умовні графічні позначення інтегральних мікросхем.

5.2. Гібридні ІМС

5.3. Напівпровідникові ІМС

5.4. Цифрові та аналогові ІМС

 

Інтегральна мікросхема – це мікроелектронний виріб, що виконує певну функцію перетворення та обробки сигналу і має не менше п'яти елементів (транзисторів, діодів, резисторів, конденсаторів), які неподільно зв'язані і електрично з'єднані між собою так, що пристрій розглядається як єдине ціле.

Рисунок 5.1 – Класифікація інтегральних мікросхем

 

З погляду інтеграції, тобто об'єднання багатьох елементів електронної схеми в одному монокристалі напівпровідника, основними параметрами інтегральних мікросхем є щільність упакування і ступінь інтеграції.

Щільність упакування – це число елементів електронної схеми в одному кубічному сантиметрі об'єму інтегральної мікросхеми.

Ступінь інтеграції визначається кількістю елементів, що входять до складу інтегральної мікросхеми: якщо ІМС містить до 10 елементів, то її називають інтегральною мікросхемою малого ступеня інтеграції; від 10 до 100 - середнього ступеня; від 100 до 1000 – великого ступеня; більше 1000 - надвеликого ступеня інтеграції.

За конструктивно - технологічною ознакою ІМС розділяють на напівпровідникові, гібридні та плівкові.

Гібридні ІМС

Гібридна ІМС – це інтегральна мікросхема, пасивні елементи якої виконані за допомогою нанесення різних плівок на поверхні діелектричної підкладки зі скла, кераміки, а активні елементи – навісні напівпровідникові прилади без корпусів.

Щільність упакування гібридних інтегральних мікросхем до 150 ел./см3, а ступінь інтеграції звичайно середній і малий.




Дата добавления: 2014-11-24; просмотров: 139 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав




lektsii.net - Лекции.Нет - 2014-2024 год. (0.006 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав