Читайте также:
|
|
5. Занятие 5
Формирование и вывод импульсных сигналов:
· способы,
· особенности,
· использование аппаратных средств,
· выбор и расчет елементов схем,
· примеры.
Подготовка к ЛР11, 12.
6. Занятие 6
6.1. Формирование и вывод аналоговых сигналов:
· назначение сигналов,
· использование аппаратных средств,
· выбор и расчет елементов схем,
· примеры.
6.2. Формирование ШИМ-сигналов:
· программно,
· программно-аппаратно (с помощью модуля таймера)
· аппаратно (с помощью модуля ШИМ)
Подготовка к ЛР13.
7. Занятие 7
7.1. Обработка данных в МК:
· преобразование кодов: двоичных в двоично-десятичные,
двоично-десятичных в семисегментные,
· выполнение арифметических и логических операций,
· и т.д..
7.2. Формирование сигналов управления и индикации:
· световых и звуковых,
· статическая индикация,
· динамическая индикация,
· управление ЖКИ дисплеем,
· управление LCD дисплеем.
Подготовка к ЛР14 - 16.
8. Занятие 8
Измерение различных физических сигналов (напряжение, ток, температура, частота, скорость и т.д.) с помощью микроконтроллерных устройств.
Подготовка к ЛР17 - 18.
Довідкова література
1. Скороделов В.В. Проектирование устройств на однокристальных микроконтроллерах с RISC-архитектурой. В 2 кн. Кн. 1. Особенности проектирования МКУ и архитектура микроконтроллеров РІС: Учебн. пособие. – Харьков: ХГПУ, 1999. – 120 с., ил.
Униполярные (полевые) транзисторы
3.3.1. Определение
3.3.2 Оcновные отличия полевых транзисторов от биполярных
3.3.3.. Назначение
3.3.4. Классификация и краткая характеристика различных типов транзисторов.
3.3.5. Устройство и основные характеристики JFET транзисторов
3.3.6. Устройство и основные характеристики MOS FET транзисторов
3.3.7. Предельные электрические параметры
3.3.8. Основные схемы включения
3.3.8.1. Схема с общим истоком
3.3..8.2. Схема с общим затвором
3.3.8.3. Схема с общим стоком
Униполярные (полевые) транзисторы
Определение
Данный тип транзисторов называется так потому, что ток в канале проводимости (канальные транзисторы!) создается с помощью носителей заряда только одного знака (одной полярности): только дырок или только электронов. В первом случае – p- канал, а во втором – n- канал. Причем, ток в канале проводимости регулируется электрическим полем, тоесть практически без затрат мощности управляющего сигнала.
Основные отличия полевых транзисторов от биполярных
1. Сверхвысокое входное сопротивление
Rвх ≈ (106 ÷1014) Ом (3.1)
тоесть они могут иметь практически емкостной вход.
2. Значительное сокращение площади кристалла полупроводника (ПП), занимаемое полевым транзистором, так как в данном случае не нужны разделительные p-n переходы, выполненные методом диффузии как в биполярных транзисторах. Это позволяет разместить до 100-150 элементарных каскадов на площади занимаемой одним каскадом на биполярных транзисторах, что значительно повышает степень интеграции ИМС.
3. Внутреннее сопротивление полевого транзистора на один-два порядка превышает внутреннее сопротивление биполярного транзистора. Поэтому с одной стороны это повышает намного уменьшить мощность, потребляемую ИМС на таких транзисторах, но с другой стороны и скорость перезаряда паразитных емкостей меньше чем у биполярных транзисторов (fα ≈ (300÷400)МГц).
Дата добавления: 2014-12-18; просмотров: 31 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав |