Студопедия  
Главная страница | Контакты | Случайная страница

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Основные отличия полевых транзисторов от биполярных

Читайте также:
  1. I. Основные задачи и направления работы библиотеки
  2. I. Основные парадигмы классической социологической теории.
  3. I. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ УЧЕБНОЙ ПРАКТИКИ
  4. I. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ. РУКОВОДСТВО ПОДГОТОВКОЙ И НАПИСАНИЕМ КУРСОВОЙ РАБОТЫ
  5. I. Основные свойства живого. Биология клетки (цитология).
  6. I. Основные цели
  7. II. Общество как социальная система, её основные системные признаки
  8. II. Основные количественные и качественные признаки преступности
  9. II. ОСНОВНЫЕ ПРИНЦИПЫ
  10. II. Основные требования к школьной одежде обучающихся

5. Занятие 5

Формирование и вывод импульсных сигналов:

· способы,

· особенности,

· использование аппаратных средств,

· выбор и расчет елементов схем,

· примеры.

Подготовка к ЛР11, 12.

6. Занятие 6

6.1. Формирование и вывод аналоговых сигналов:

· назначение сигналов,

· использование аппаратных средств,

· выбор и расчет елементов схем,

· примеры.

 

6.2. Формирование ШИМ-сигналов:

· программно,

· программно-аппаратно (с помощью модуля таймера)

· аппаратно (с помощью модуля ШИМ)

 

Подготовка к ЛР13.

7. Занятие 7

7.1. Обработка данных в МК:

· преобразование кодов: двоичных в двоично-десятичные,

двоично-десятичных в семисегментные,

· выполнение арифметических и логических операций,

· и т.д..

 

7.2. Формирование сигналов управления и индикации:

· световых и звуковых,

· статическая индикация,

· динамическая индикация,

· управление ЖКИ дисплеем,

· управление LCD дисплеем.

 

Подготовка к ЛР14 - 16.

8. Занятие 8

Измерение различных физических сигналов (напряжение, ток, температура, частота, скорость и т.д.) с помощью микроконтроллерных устройств.

 

Подготовка к ЛР17 - 18.

Довідкова література

 

1. Скороделов В.В. Проектирование устройств на однокристальных микроконтроллерах с RISC-архитектурой. В 2 кн. Кн. 1. Особенности проектирования МКУ и архитектура микроконтроллеров РІС: Учебн. пособие. – Харьков: ХГПУ, 1999. – 120 с., ил.

 

Униполярные (полевые) транзисторы

 

3.3.1. Определение

3.3.2 Оcновные отличия полевых транзисторов от биполярных

3.3.3.. Назначение

3.3.4. Классификация и краткая характеристика различных типов транзисторов.

3.3.5. Устройство и основные характеристики JFET транзисторов

3.3.6. Устройство и основные характеристики MOS FET транзисторов

3.3.7. Предельные электрические параметры

3.3.8. Основные схемы включения

3.3.8.1. Схема с общим истоком

3.3..8.2. Схема с общим затвором

3.3.8.3. Схема с общим стоком

 

Униполярные (полевые) транзисторы

Определение

Данный тип транзисторов называется так потому, что ток в канале проводимости (канальные транзисторы!) создается с помощью носителей заряда только одного знака (одной полярности): только дырок или только электронов. В первом случае – p- канал, а во втором – n- канал. Причем, ток в канале проводимости регулируется электрическим полем, тоесть практически без затрат мощности управляющего сигнала.

 

 

Основные отличия полевых транзисторов от биполярных

1. Сверхвысокое входное сопротивление

 

Rвх ≈ (106 ÷1014) Ом (3.1)

тоесть они могут иметь практически емкостной вход.

2. Значительное сокращение площади кристалла полупроводника (ПП), занимаемое полевым транзистором, так как в данном случае не нужны разделительные p-n переходы, выполненные методом диффузии как в биполярных транзисторах. Это позволяет разместить до 100-150 элементарных каскадов на площади занимаемой одним каскадом на биполярных транзисторах, что значительно повышает степень интеграции ИМС.

3. Внутреннее сопротивление полевого транзистора на один-два порядка превышает внутреннее сопротивление биполярного транзистора. Поэтому с одной стороны это повышает намного уменьшить мощность, потребляемую ИМС на таких транзисторах, но с другой стороны и скорость перезаряда паразитных емкостей меньше чем у биполярных транзисторов (fα ≈ (300÷400)МГц).




Дата добавления: 2014-12-18; просмотров: 31 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав




lektsii.net - Лекции.Нет - 2014-2024 год. (0.007 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав