Студопедия  
Главная страница | Контакты | Случайная страница

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Понятие рыночной экономики и ее особенности в РБ

Читайте также:
  1. I . Понятие и признаки правовых норм.
  2. I Тема: Структурно-смысловые особенности описания
  3. I. Диагностика: понятие, цели, задачи, требования, параметры
  4. I. Доказывание, понятие и общая характеристика
  5. I. Особенности гигиенических требований к детской одежде.
  6. I. Понятие законности. Соотношение законности, права и власти.
  7. I. Понятие законности. Соотношение законности, права и власти.
  8. I. Понятие и виды источников (форм) права.
  9. I. Понятие и виды преступности
  10. I. Понятие и сущность бюджетирования.

по дисциплине: «Схемотехника»

Тема работы: «Запоминающие устройства типа ROM(M), PROM, EPOM, EEPROM (особенности работы схем, структура)»

 

 

студентки очного отделения

3 курса 83001106 группы

Лихогодиной Е.С.

Проверил:

_____________________________________________

Ученая степень, звание подпись фамилия, инициалы

_____________________________________________

отметка о выполнении дата

 

БЕЛГОРОД, 2013

 

СОДЕРЖАНИЕ

ЗУ типа ROM…………………………………………………………………..3

Масочные ROM – ROM(M)…………………………………………………..4

Программируемые ЗУ………………………………………………………..6

1) PROM……………………………………………………………………6

2) EPROM………………………………………………………………….8

3) EPROM-OTP…………………………………………………………..10

4) EEPROM……………………………………………………………….10


 

1 ЗУ ТИПА ROM

 

 

Эти ЗУ (ПЗУ) являются по-настоящему постоянными, т. к. их содержимое после изготовления никогда не изменяется.

Постоянная память ROM (рис. 1) программируется при изготовлении с помо­щью масок (ROM (М), масочные ПЗУ) или лазерной технологии (ROM (L)). Для потребителя это в полном смысле слова постоянная память, т. к. изменить ее со­держимое он не может.

Рисунок 1 – Классификация постоянных ЗУ

В обозначениях следующих четырех разновидностей ROM присутствует буква Р (от Programmable). Это программируемая пользователем память (ППЗУ— програм­мируемые ПЗУ). В PROM и EPROM-OTP содержимое записывается однократно (ОТР означает One-Time Programmable). В EPROM. EEPROM и Flash возможны сти­рание старой информации и запись новой. Новые данные записываются электриче­скими сигналами.


 

2 МАСОЧНЫЕ ROM

 

В масочные ROM (ROM(M)) информация записывается на завершающих этапах технологического процесса.

Рисунок 2 – Матрицы диодных (а) и МОП-траизисторных (б) запоминающих элементов ROM

В матрице диодной ROM (рис.2, а) горизонтальные линии служат для выборки слов, а вертикальные — для считывания их разрядов. Считываемое слово опреде­ляется расположением диодов в пересечениях линий. При наличии диода высокий потенциал выбранной горизонтальной линии передается на соответствующую вертикальную линию, и в данном разряде слова появляется сигнал логической единицы. При отсутствии диода вертикальная линия имеет нулевой потенциал, т. к. она через резистор связана со схемной землей. В изображенной матрице при возбуж­дении шины выборки Ш1 считывается слово 11010001 (в ячейке номер один хра­нится это слово). При возбуждении шины 1112 считывается слово 10101011 (оно хранится в ячейке номер 2). Шины выборки являются выходами дешифратора адре­са, каждая адресная комбинация возбуждает свой выход дешифратора, что приво­дит к считыванию слова из адресуемой ячейки.

Для программирования ROM в одних узлах матрицы элементы связи изготовляют­ся, в других — нет. Чтобы удешевить производство, при изготовлении матрицы стремятся варьировать только один шаблон (маску), так чтобы одни элементы свя­зи были законченными, а другие — не завершенными и как бы отсутствующими. В матрицах с МОП-транзисторами для хранения нуля увеличивают толщину подзатворного окисла, что увеличивает пороговое напряжение транзистора. В этом слу­чае рабочие напряжения ЗУ не в состоянии открыть транзистор, что равноценно его отсутствию. Матрица с МОП-транзисторами показана на рис. 2, б.

Масочные ЗУ отличаются компактностью запоминающих элементов и, следова­тельно, высоким уровнем интеграции. При больших объемах производства масоч­ное программирование целесообразно, однако при недостаточной тиражности за­траты на проектирование и изготовление шаблонов для технологического программирования ЗУ делают продукцию чрезмерно дорогой. Отсюда видна и об­ласть применения масочных ЗУ — хранение стандартной информации, имеющей широкий круг потребителей. В частности, масочные ЗУ имеют в качестве "про­шивки" коды букв алфавитов (русского и латинского), таблицы типовых функций (синуса, квадратичной функции и др.), стандартное программное обеспечение и т. п.


 

3 ПРОГРАММИРУЕМЫЕ ЗУ

 

В обозначениях следующих четырех разновидностей ROM присутствует буква Р (от Programmable). Это программируемая пользователем память (ППЗУ— програм­мируемые ПЗУ). В PROM и EPROM-OTP содержимое записывается однократно (ОТР означает One-Time Programmable). В EPROM, EEPROM и Flash возможны сти­рание старой информации и запись новой. Новые данные записываются электриче­скими сигналами. Содержимое памяти EPROM (Erasable Programmable ROM) стира­ется облучением кристалла ультрафиолетовыми лучами, ее русское название РПЗУ- УФ. В EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM) и Flash-памяти стирание производится электрическими сигналами. Русское название EEPROM—РПЗУ-ЭС или ЭСППЗУ (электрически стираемое программируемое ПЗУ).

Микросхемы PROM, EPROM и EEPROM программируются в лабораторных услови­ях на специальных программаторах (PROM, EPROM) либо с помощью специальных режимов без изъятия микросхемы из устройства, в котором она используется.

Постоянные ЗУ имеют многоразрядную организацию (обычно 8-, 16- или 32- разрядную) и чаще всего выполняются по структуре 2DM. Технологические типы постоянных ЗУ разнообразны — диодные матрицы, ТТЛ(Ш), КМОП, n-МОП и др.

1) PROM

В PROM и EPROM-OTP информация однократно записывается потребителем. Микросхемы PROM программируются пережиганием плавких перемычек (типа /те) с помощью несложных программаторов. В исходной заготовке имеются все перемычки, а после программирования остаются только необходимые. Металличе­ские или поликремниевые перемычки в электродах запоминающих элементов рас­плавляются импульсами тока достаточно большой амплитуды и длительности. Про­граммирование пользователем и невысокая стоимость в свое время обусловили широкое распространение PROM, которые сейчас почти сошли со сцены. Отечест­венные PROM серии К556 имеют емкость 1...64 Кбит и время доступа по адресу 70...90 не.

Перемычка из двух встречно включенных диодов в исходном состоянии имеет для токов обоих направлений настолько большое сопротивление, что практически рав­ноценна разомкнутой цепи, и запоминающий элемент хранит логический нуль. Для записи единицы к перемычке прикладывают повышенное напряжение, пробиваю­щее диод, включенный в обратном направлении, с образованием в нем короткого замыкания (проводящей перемычки).

Запоминающие элементы с плавкими перемычками в цепях диодов и в цепях эмиттеров биполярных транзисторов (что ласт элемент, усиливающий ток), а также перемычки с парами диодов показаны на рис. 3 в исходном состоянии и после программирования.

Рисунок 3 - Запоминающие элементы с плавкими перемычками (в. в) и диодными парами (б)

2) EPROM

Запоминающие элементы этих ЗУ состоят из двух последовательно включенных транзисторов: обычного ключевого транзистора для выборки адресованного эле­мента и ЛИЗМОП-транзистора. играющего, в зависимости от программирования, роль замкнутой или разомкнутой перемычки. Для стирания информации ультра­фиолетовыми лучами (УФ-лучами) корпус ИС имеет специальное прозрачное окошко. Двуокись кремния и поликремний прозрачны для УФ-лучей, создающих в областях транзистора фото- и тепловые токи, что делает области проводящими и позволяет заряду покинуть плавающий затвор. После стирания старой информации окошко в корпусе заклеивают, чтобы избежать воздействия света на поверхность кристалла. Операция стирания информации этим способом занимает десятки ми­нут. Информация стирается сразу во всем кристалле. В схемах с УФ-стиранием число циклов перепрограммирования существенно ограничено (10... 1000 циклов у приборов разного качества), т. к. под действием УФ-лучей свойства материалов постепенно изменяются.

Современные EPROM имеют емкости до 32 Мбит при временах доступа 70... 100 не и скорости записи 50... 100 мкс/слово. Отечественные ЗУ с УФ- стиранием данных, среди которых наиболее известна серия KS73. имеют емкости до I Мбит и времена доступа около 350 нс.

Пример схемы ЗУ типа EPROM

На рис. 4 показана упрощенная схема ЗУ EPROM (фирма Cypress Semiconductor). Ядро схемы — структура 2DM, содержащая адресный дешифратор, матрицу запо­минающих элементов и блок мультиплексоров. Ядро дополнено регистром, прини­мающим данные по фронту синхросигнала СР, выходными буферами с третьим состоянием и логикой управления буферами. Введение в схему регистра вносит в ее работу элсмс1ггы параллелизма операций и повышает быстродействие ЗУ. Дей­ствительно, сразу же после приема данных регистром можно изменять адрес и пе­реходить к чтению следующего слова, не дожидаясь, пока предыдущее слово будет использовано приемником, так как во время выборки следующего слова предыду­щее сохраняется регистром. Управление буферами с помощью двух сигналов раз­решения Е и Es повышает гибкость использования микросхемы.

Конкретные параметры схемы соответствуют информационной емкости 4 Кбит при организации 512x8. Микросхемы имеют напряжение питания 5 В. время дос­тупа по адресу 25 не и, как сказано в их описании, программируемость 100%.

   

Рисунок 4 – структура ЗУ типа EPROM

 

EPROM и EEPROM

В этих ЗУ возможно стирание старой информации и замена ее новой. Рабочий ре­жим (чтение) — процесс, выполняемый с высокой скоростью. Замена же содержи­мого памяти — процесс длительный и сложный, для его проведения ЗУ выводится из рабочего режима. В EPROM старая информация стирается ультрафиолетовыми лучами, в EEPROM электрическими сигналами.

Запоминающие элементы обоих типов ЗУ — МОП-транзисторы, над каналами кото­рых созданы области, способные захватывать и удерживать электрический заряд, изменяющий пороговые напряжения транзисторов. В транзисторах с p-каналом вве­дение в область-ловушку электронов (отрицательного заряда) создает электрическое поле, способствующее возникновению между истоком и стоком проводящего канала. В транзисторах с p-каналом заряд электронов, напротив, затрудняет создание прово­дящего канала и увеличивает пороговое напряжение транзистора, который не сможет включаться под действием рабочего напряжения. Возможность удалять или создавать заряд 8 области-ловушке обеспечивает репрограммируемость ЗУ. Конструктивно области-ловушки выполняются в виде:

· границы между диэлектрическими слоями из разных материалов;

· плавающих затворов.

3) EPROM-OTP

К микросхемам с однократным программированием, получившим признание в со­временной схемотехнике, относятся ЗУ типа EPROM-OTP — упрошенный вариант перепрограммируемых EPROM.

Для стирания данных УФ-лучами нужны специальные корпуса с прозрачными окош­ками, имеющие высокую стоимость. Замена таких корпусов обычными дешевыми (без окошка) приводит к однократно программируемым EPROM-OTP (ОТР от One Time Programmable), в которых запись производится электрическими сигналами путем заряда плавающих затворов. Изменить содержимое памяти уже нельзя, так как отсутствие в корпусе окошка исключает возможность облучения кристалла.

4) EEPROM

В этих ЗУ стирание информации удалением зарядов из плавающих затворов произ­водится электрическими сигналами. Электрическое стирание имеет преимущества: можно стирать информацию не со всего кристалла, а выборочно (в EEPROM инди­видуально для каждого адреса). Длительность процесса "стирание-запись" значи­тельно меньше чем у EPROM, сильно ослабляются ограничения на число циклов перепрограммирования (допускается 104... 105 таких циклов). Кроме того, перепрограммировать микросхему можно, не извлекая ее из устройства, в котором она работает. В последнее время электрическое стирание активно вытесняет УФ-стирание. Подключение двухзатворных транзисторов к линиям выборки строк и линиям чтения в матрицах ЗУ показано на рис. 5. Логический нуль записывается пу­тем заряда плавающего затвора инжекцией "горячих" электронов в режиме про­граммирования. Стирание информации (удаление заряда из плавающего затвора) приводит к записи в запоминающие элементы логических единиц, т. к. в данном случае опрашиваемые транзисторы открываются и передают напряжение Ucc на линии считывания.


Рисунок 5 – схема подключения транзисторов с двумя затворами к линиям выборки и считывания в РПЗУ

Среди отечественных ЗУ с электрическим стиранием данных имеются серии КР558 (на основе n-МНОП) и К1609, К1624, К1626 на основе транзисторов с плавающими затворами. Емкости отечественных микросхем памяти с электрическим стиранием данных достигают 64 Кбит, а время доступа составляет около 250 не. На уровне мировой техники имеются EEPROM с информационной емкостью до 4 Мбит при тактовых частотах до 50 МГц и напряжениях питания 1,8...3,6 В.

 

Понятие рыночной экономики и ее особенности в РБ

Нацтональная экономика РБ-это сложившаяся система нац. И общественного воспроизводства государства, в которой между собой взаимосвязаны отрасли, виды и формы общественного труда, сформировавшиеся в процессе длительного эволюционного исторического развития страны и подразумевает под собой совокупность производственных сил и производственных отношений, к-рые складываются в процессе производства, распределении и потреблении товаров, работ и услуг. При этом она основывается на разных формах собственности в противовес плановой (дерективной) экономики, основанной на государственной форме собственности. В условиях рыночной экономики должны соблюдаться её законы. В рб-социально ориентированная рыночная экономика, предусматривающая и внедряющая в практику организации и ведение этой деятельности, обеспечивающая выпуск конкурентноспособной продукции. Национальная экономика РБ представляет собой сложную систему отраслей материального (производственная сфера) и нематериального (непроизводственная сфера) производства.

К производственной сфере относятся отрасли н/х, создающие материальные блага, а именно:

Промышленность;Строительство;Сельское хозяйство;Транспорт и связь;Торговля и общественное питание;Лесное хозяйство;Информационно-вычислительное обслуживание;Геология и разведка недр;

К непроизводственной сфере относятся:ЖКХ;Культура и искусство;

Наука и образование;Здравоохранение;Финансы, кредит, страхование и пенсионное обеспечение;Управление.

Описать государственную поддержку отраслей промышленности, льготную оплату услуг ЖКХ, кредиты на поддержку разных отраслей




Дата добавления: 2014-12-19; просмотров: 37 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав




lektsii.net - Лекции.Нет - 2014-2024 год. (0.009 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав