Студопедия  
Главная страница | Контакты | Случайная страница

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

б) для схемы рисунка 2

Читайте также:
  1. А) для схемы рисунка 1
  2. Алгоритм решения в виде блока схемы.
  3. Анализ структуры рисунка.
  4. Бланк Карты-схемы
  5. Виды поверок средств измерений. Поверочные схемы. Межповерочный интервал. Поверительные клейма
  6. ВИДЫ РИСУНКА 1 страница
  7. ВИДЫ РИСУНКА 2 страница
  8. ВИДЫ РИСУНКА 3 страница
  9. ВИДЫ РИСУНКА 4 страница

Входное сопротивление определяется аналогично (13.7), но с учетом местной обратной связи (МОС), последовательной по входу и параллельной по выходу, возникающей в схеме эмиттерного повторителя

, (13.8)

где ;

;

– сопротивление нагрузки транзистора по переменному току.

 

4. Определение максимального приращения коллекторного тока при изменении температуры.

 

При расчете усилительных каскадов нестабильность постоянного коллекторного тока производится для наихудшего случая, при максимальных значениях Iкб0, h21э и Тс.

Сначала рассчитывается максимальное приращение коллекторного тока без учета действия элементов стабилизации

Diк0 мах = iб0 × h21э мах + Iкб0 мах × (1 + h21э мах) – iк0, (13.9)

 

где Iкб0 мах неуправляемый обратный ток коллектора, рассчитанный при максимальном значении температуры p–n перехода транзистора

Тп мах = Тс + Rпс× Рк, (13.10)

где Рк = Uк0 × iк0 – мощность рассеивания на коллекторе транзистора; Rпс – тепловое сопротивление переход–среда, которое характеризует степень отвода тепла от p–n перехода в окружающую среду. Обратите внимание на размерность Rпс и Рк.

При повышении температуры Iкб0 значительно возрастает. Для кремниевых транзисторов ток возрастает в 3 раза при увеличении температуры перехода на каждые 10°.

, (13.11)

где Т – температура, при которой приведено значение Iкб0 в справочнике.

 

Затем определяется приращение коллекторного тока с учетом эмиттерной стабилизации, для чего рассчитывается глубина обратной связи по постоянному току (Fпосл)

 

, (13.12)

 

где сопротивление делителя.

 

3. Построение нагрузочной прямой по постоянному току

 

При построения нагрузочной прямой записывается уравнение Кирхгофа для выходной цепи транзистора по постоянному току

Еп» Uкэ + iк × Rн=,

где Rн= = Rк + Rэ (для схемы рисунка 1);

Rн= = Rф + Rэ (для схемы рисунка 2);

Нагрузочная прямая строится по двум крайним точкам:

при Uкэ = 0 iк = / Rн=;

при iк =0 Uкэ = Еп.

Если расчеты выполнены верно, то точка покоя будет находиться на нагрузочной прямой.

После построения нагрузочной прямой необходимо сделать вывод о работоспособности рассчитанного усилителя при действии дестабилизирующих факторов. Усилительный каскад будет работоспособен, если максимальное изменение тока коллектора не приведет к существенному смещению точки покоя в область насыщения транзистора.

Если условие работоспособности не выполняется, то необходимо пересмотреть выбор режима работы транзистора, а также сопротивлений в цепи коллектора и в цепи базы таким образом, чтобы увеличить сопротивление эмиттера (Rэ) и уменьшить сопротивление делителя (Rд) для повышения глубины ООС по постоянному току (Fпосл).

 

 




Дата добавления: 2014-12-19; просмотров: 39 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав




lektsii.net - Лекции.Нет - 2014-2024 год. (0.007 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав