Главная страница | Контакты | Случайная страница Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Обоснуйте влияние температуры на характеристики и параметры транзисторов. Как проявляются частотные свойства транзисторов?

Транзисторы, работающие в аппа­ратуре, нагреваются от окружающей среды, от внешних источников теплоты, например от расположенных рядом на­гретых деталей, и от токов, проте­кающих через сам транзистор. Измене­ние температуры оказывает значительное влияние на работу полупроводниковых приборов. При повышении температуры увеличивается проводимость полупро­водников и токи в них возрастают. ток коллектора возрастание этого тока приводит к изменению характеристик транзистора///////С повышением частоты усиление, даваемое транзисторами, снижается. У этого явления две главные причины. Во-первых, на более высоких частотах сказывается вредное влияние емкости коллекторного перехода С_к Вторая причина снижения усиления на более высоких частотах – отставание по фазе переменного тока коллектора от переменного тока эмиттера. Оно вызвано инерционностью процесса пере­мещения носителей через базу от эмиттерного перехода к коллекторному, а также инерционностью процессов накоп­ления и рассасывания заряда в базе.

Объясните особенности импульсного режима работы транзисторов. Приведите схему включения транзистора в ключевой (импульсный) режим работы. Рассчитайте основные параметры транзистора и схемы.

До поступления на вход транзистора им­пульса входного тока или входного напряжения транзистор находится в за­пертом состоянии (в режиме отсечки), что соответствует точке Т₁. В цепи кол­лектора проходит малый ток (в данном случае сквозной ток i_к-э0), и, следова­тельно, эту цепь приближенно можно считать разомкнутой. Напряжение источ­ника Е₂ почти полностью приложено к транзистору.

Если на вход подан импульс тока I_бmax, то транзистор переходит в режим насыщения и работает в точке Т₂. Получается импульс тока коллектора I_кmax, очень близкий по значению к E₂/R_н. Его иногда называют током насыщения. В этом режиме транзистор выполняет роль замкнутого ключа и почти все напряжение источника Е₂ па­дает на R_н, а на транзисторе имеется лишь очень небольшое остаточное напря­жение (десятые доли вольта), называе­мое напряжением насыщения U_{к-э нас.}Хотя напряжение u_к._э в точке Т₂ не изменило знак, но на самом коллектор­ном переходе оно стало прямым, и поэтому точка Т₂ действительно соответ­ствует режиму насыщения. Покажем это на следующем примере. Пусть имеется транзистор n-р-n и U_{к-э нас} = 0,2 В, а напряжение на базе U_б._э = 0,6 В. Тогда на коллекторе по отношению к базе будет напряжение U_к._б = 0,2 – 0,6 = –0,4 В, т. е. на коллекторном переходе прямое напряжение 0,4 В.

Конечно, если импульс входного тока будет меньше I_бmax, то импульс тока коллектора также уменьшится. Но зато увеличение импульса тока базы сверх I_бmax практически уже не дает возраста­ния импульса выходного тока. Таким образом, максимальное возможное зна­чение импульса тока коллектора

Если длительность входного импуль­са t_и во много раз больше времени переходных процессов накопления и рас­сасывания зарядов в базе транзистора, то импульс выходного тока имеет почти такую же длительность и форму, как и входной импульс. Но при коротких импульсах, т. е. если t_н составляет единицы микросекунд и меньше, может наблюдаться значительное искажение формы импульса выходного тока и уве­личение его длительности.