Читайте также:
|
- превращают энергию света в электрическую;
- превращают тепловую энергию в электрическую;
15. Эффект магнитосопротивления применяется:
- в магнитных дисках;
16. Эффект Пельтье применяется:
- в термоэлектрических холодильниках;
17. Ктермоэлектрическим эффектам в полупроводниках относятся:
- эффекты Зеебека-Пельтье и Пельтье;
18. Наиболее эффективная технология очистки твердого полупроводника – это
- метод безтигельной зонной плавки;
Первым хим. эл-том, используемым в полупроводниковых выпрямителях, был
- селен;
20. Наибольшие запасы полупроводников в природе –
- кремний;
Максимальную рабочую температуру имеют полупроводниковые приборы из
- карбида кремния;
22. Максимальная рабочая температура кремниевой ИМС (на кристалле):
- 150°С;
23. Предельные температуры корпуса полупроодниковых приборов
- кремниевых - 120°С, германиевых - 70°С;
Фото-, терморезисторы и ограничитель напряжения изготавливают из
- полупроводников;
25. Органические полупроводники применяют для изготовления:
- фоторезисторов и терморезисторов;
26. Эффекты переключения и памяти открыты в
- аморфных полупроводниках;
27. Верхний предел работоспособности ПП приборов определяется:
- шириной запрещенной зоны;
28. Электроны в n – полупроводнике являются:
- основными носителями заряда;
29. Электрический ток, причиной которого явилось внешнее электрическое поле, называется:
- дрейфовым.
30. Диффузионный ток – ток, возникающий при наличии
- в. разности концентраций носителей;
31. Концентрация носителей заряда в слое полупроводника может измениться вследствие
- в. рекомбинации и генерации носителей;
32. Проводимость полупроводника зависит от
- в. температуры, состава и концентрации примеси, наличия внешних излучений;
Рекомбинация сопровождается
а. выделением энергии;
34. Выберите вариант, в котором все перечисленные вещества имеют кристаллическую структуру
в. сталь, графит, алмаз;
Кристаллическая решетка кремния имеет следующий тип связей
а. ионная;
Валентная энергетическая зона и зона проводимости пересекаются
в. в проводниках;
37 .Электроны, участвующие в создании электрического тока, имеют уровни энергии, находящиеся в
б. зоне проводимости;
Ширина запрещенной энергетической зоны при уменьшении температуры
а. увеличивается;
39. Концентрации электронов и дырок равны
в. в i – полупроводнике;
40. Примесь для получения n – полупроводника должна быть
в. пятивалентной;
С ростом температуры сопротивление полупроводника
б. уменьшается;
Дата добавления: 2015-02-16; просмотров: 17 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав |