|
Читайте также: |
39. Материалы тонкоплёночных резисторов:
- алюминий, хром, нихром, тантал
Хром, нихром, кермет, резистивные сплавы
- хром, нихром, кермет
40. Основные разновидности тонкоплёночных резисторов
- полосковые, типа «меандр», «пинч» - резисторы
- полосковые, типа «меандр»
- полосковые, типа «меандр», «пинч» - резисторы, диффузионные
41. Основные разновидности толстоплёночных резисторов
Полосковые
- полосковые, типа «меандр»
- полосковые, типа «меандр», «пинч» - резисторы, диффузионные
42. Основные разновидности тонкоплёночных конденсаторов
- двухслойные, трёхслойные, торцевые
Трёхслойные, торцевые
- однослойные, двухслойные, трёхслойные, торцевые
43. Основные разновидности толстоплёночных конденсаторов
- двухслойные, трёхслойные, торцевые
Трёхслойные
- однослойные, двухслойные, трёхслойные, торцевые
44. Материалы подложек тонкоплёночных ГИС
- кремний, арсенид галлия, германий
Ситалл, стекло, керамика, поликор
- ситалл, стекло, керамика, поликор, арсенид галлия
45. Материалы подложек толстоплёночных ГИС
- керамика, арсенид галлия, германий
Керамика
- ситалл, стекло, керамика, поликор
46. Основной элемент ИС на биполярных транзисторах
- планарно-эпитаксиальный транзистор n-p-n типа
- планарно-эпитаксиальный транзистор p-n- p типа
- планарно-эпитаксиальный транзистор Шотки n-p-n типа
47. Назначение скрытого n+- слоя
- снижение мощности рассеяния биполярного транзистора
Предотвращение снижения быстродействия и увеличение напряжения Uкэ в режиме насыщения
- снижение напряжения Uкэ в режиме насыщения
48. Конструкции интегральных диодов полупроводниковых ИС
- создаются на основе перехода коллектор-эмиттер транзистора n-p-n типа
- создаются на основе перехода база-эмиттер планарно-эпитаксиального транзистора n-p-n типа
- создаются на основе структуры интегрального планарно-эпитаксиального транзистора n-p-n типа
49. Все операции изготовления БИС можно разделить на следующие большие группы
- проектирование, опытное производство, отработка технологии, серийный выпуск
Изготовление кристалла (чипа), монтаж кристалла в корпус и контроль параметров готовой ИС
- изготовление кристалла, диффузия, эпитаксия, фотолитография, сборка
50. Основные операции фотолитографического процесса
- нанесение фоторезиста, сушка, экспонирование, проявление, травление
- нанесение фоторезиста, сушка, экспонирование, проявление, дубление, травление
Нанесение фоторезиста, сушка, экспонирование, проявление, дубление, травление слоя окисла кремния
51. Основные операции сборки и корпусирования ИС
Дата добавления: 2015-04-26; просмотров: 19 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав |