Студопедия  
Главная страница | Контакты | Случайная страница

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

До 100 МГц

- до 1 МГц

121. В полупроводниковых ИС применяют следующие конструктивно-технологические разновидности конденсаторов:

- конденсаторы на основе p-n переходов, тонкопленочные конденсаторы со структурой металл – диэлектрик – полупроводник (МДП), тонкопленочные конденсаторы со структурой металл – диэлектрик – металл (МДМ)

- конденсаторы на основе p-n переходов, конденсаторы на основе пленочных структур, конденсаторы толстопленочные

- конденсаторы толстопленочные, конденсаторы керамические, конденсаторы электролитические

122. Чем определяется точность воспроизведения сопротивления полупроводникового резистора?

Точностью изготовления фотошаблона и резистивной маски, точностью процесса травления, точностью распределения примеси

- точностью фотошаблона, диффузии, эпитаксии, металлизации

- точностью распределения примесей, толщиной базы, эпитаксией

123. Какие материалы применяют в качестве проводников в полупроводниковых ИС?

- алюминий, многослойные проводники, тройные системы

Алюминий, хром, тантал, молибден, медь, золото

- алюминий, хром, тантал, серебро, олово

124. Основными причинами отказов элементов гибридных интегральных схем являются:

- отказы механические, электрические, восстанавливаемые

- недостаточно качество техпроцессов, вибрации, удары

Недостаточное качество техпроцессов, деградация структур конструкции

125. Где формируются полупроводниковые элементы ИС?

- на поверхности полупроводника

- в эпитаксиальном слое

В приповерхностном слое

126. Достоинство изоляции элементов ИС p-n переходов является:

Простота технологической реализации

- емкости p-n перехода

- сопротивления утечки от сопротивления

127. Комбинированная изоляция элементов в полупроводниковых схемах

- уменьшает токи утечки, увеличивает емкости изолированных областей

Уменьшает паразитные емкости изолированных областей на подложку и токи утечки по сравнению с изоляцией p-n переходом

- уменьшает сопротивление утечки и обратные токи перехода

128. Какие вещества называют фоторезистами?

- вещества, меняющие свою электропроводность под действием актиничного излучения

Светочувствительные вещества, изменяющие свои свойства под действием актиничного света и, прежде всего растворимость

- светочувствительные вещества, изменяющие под действием света механические свойства

129. Какие бывают фоторезисты?

- высокоомные и низкоомные

- высокоомные и высокоточные


Дата добавления: 2015-04-26; просмотров: 2 | Нарушение авторских прав

Часть конструкции ИС, которая защищает кристалл от внешних воздействий | Заготовка, предназначенная для изготовления на ней элементов гибридных и пленочных ИС, межэлементных и межкомпонентных соединений, контактных площадок | Диффузионные, МДП, плёночные | Изоляция диэлектрическими пленками, изоляция p–n–переходом и V-образными канавками | Разделение пластины на кристаллы, контроль структур, установка в корпус, подсоединение к внешним выводам, герметизация, контроль и тенировка | В разработке новых электронных устройств со сверхмалыми размерами, создании методов их получения и объединения в интегральные схемы | Изменяя отражение границ раздела с помощью внешнего смещения, можно контролировать ток, текущий между парой контактов, что позволяет строить полевые транзисторы | Один бит информации представлен наличием или отсутствием одного электрона в проводящем островке | Области начала кристаллизации сплавов при охлаждении | Из за неравномерности тока по сечению полупроводника происходит образование областей с большей плотностью тока |


lektsii.net - Лекции.Нет - 2014-2020 год. (0.008 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав