Студопедия  
Главная страница | Контакты | Случайная страница

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Области начала кристаллизации сплавов при охлаждении

Читайте также:
  1. A) это основные или ведущие начала процесса формирования развития и функционирования права
  2. I. Закон Костромской области о прогнозировании, программе социально-экономического развития Костромской области и областных целевых программах
  3. II. Начала математического анализа
  4. III. Приоритеты демографического развития в области укрепления здоровья и увеличения продолжительности жизни населения
  5. NB! При Василии II произошло важное событие в истории РПЦ – с 1448 г. началась автокефалия Русской православной церкви.
  6. Quot;Хм… странное название, но заняться мне все равно нечем" – отрыла книгу и начала читать.
  7. VI. Приоритеты демографической политики в области стимулирования рождаемости и укрепления семьи
  8. VII. Приоритеты демографической политики в области миграции и расселения
  9. А) Направления регулирования в области строительства
  10. а) разработка предложений по реализации государственной политики в области предупреждения и ликвидации чрезвычайных ситуаций и обеспечения пожарной безопасности;

- области начала плавления сплавов при нагреве

- области кристаллизации сплавов

143. Линия солидуса определяет:

- начало области кристаллизации сплава при охлаждении

Начало области плавления сплава при нагреве

- начало диффузии примеси в полупроводник

144. Назовите достоинства электронной литографии

- отсутствие дифракции и, значит, более высокая чёткость, более высокая, чем у оптических систем глубина резкости.

- более высокая глубина резкости и чйткости

- более высокая точность и чёткость

145. Назовите принципиальные ограничения традиционной полупроводниковой технологии.

Ограничения, обусловленные законами физики твердого тела и барьером межсоединений.

- ограничение топологических норм менее0,1 мкм.

- архитектура квантовых приборов не предусматривает межсоединений.

146. Что такое мезоскопия?

- область микроэлектроники с размерами приборов до десятков мкм.

Область микроэлектроники с размерами приборов от десятых долей мкм.

- область микроэлектроники с размерами единиц мкм.

147. Назначение затворов генератора МОП-накопителя:

- первый затвор накопительный, второй затвор разделительный.

- оба затвора накопительные.

Первый затвор разделительный для формирования потенциального барьера, второй затвор накопительный, формирует величину зарядового пакета.

148. Что такое функциональная оптоэлектроника?

- направление функциональной электроники, изучающее явление взаимодействия динамических неоднородностей оптической природы с электромагнитными полями в континуальной среде;

- направление функциональной электроники, изучающее явление взаимодействия неоднородностей оптической природы с электромагнитными полями;

- направление функциональной электроники, изучающее оптические явления.

149. Что такое полупроводниковая функциональная электроника?

Это направление функциональной электроники, изучающее взаимодействие динамических неоднородностей в полупроводниковых средах с физическими полями

- это направление функциональной электроники, изучающее неоднородности в полупроводниках

- это направление функциональной электроники, изучающее распределение примесей в полупроводниках

150. Назовите континуальные среды в полупроводниках

- кристаллическая решётка, твёрдые растворы;

- кристаллическая решётка, твёрдые растворы, аморфные полупроводники и органические полупроводники;

- кристаллическая решётка, сверхрешётки, твёрдый раствор, аморфные и органические полупроводники;

151. Что такое токовые шнуры в полупроводниках?

- каналы проводимости;



Дата добавления: 2015-04-26; просмотров: 24 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав
Часть конструкции ИС, которая защищает кристалл от внешних воздействий | Заготовка, предназначенная для изготовления на ней элементов гибридных и пленочных ИС, межэлементных и межкомпонентных соединений, контактных площадок | Диффузионные, МДП, плёночные | Изоляция диэлектрическими пленками, изоляция p–n–переходом и V-образными канавками | Разделение пластины на кристаллы, контроль структур, установка в корпус, подсоединение к внешним выводам, герметизация, контроль и тенировка | В разработке новых электронных устройств со сверхмалыми размерами, создании методов их получения и объединения в интегральные схемы | Изменяя отражение границ раздела с помощью внешнего смещения, можно контролировать ток, текущий между парой контактов, что позволяет строить полевые транзисторы | Один бит информации представлен наличием или отсутствием одного электрона в проводящем островке | Значительное изменение сопротивления материалов при помещении их в магнитном поле | До 100 МГц |

lektsii.net - Лекции.Нет - 2014-2024 год. (0.005 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав