Читайте также:
|
17. У плазмотроні вихідний матеріал переводять в стан: а) пару; б) іонізованого газу; в) іонізованого пару.
18. Носієм матеріалу покриття при газодинамічному способі є: а) іонізований газ; б) плазма; в) зжате повітря; г) магнітне поле.
19. При газодинамічному способі до яких швидкостей прискорюється потік матеріала, що наноситься? а) 100 см/год; б) 100 км/сек; в) надзвукова швидкість.
20. Чому дорівнює тиск в 1 мм. рт. ст.? а) 1 Па; б) 13,3 Па; в) 133,3 Па; г) 1333 Па.
21. При низькому вакуумі: а) λ << d; б) λ≈d; в) λ >>d.
22. При високому вакуумі:: а) λ << d; б) λ≈d; в) λ >>d.
23. При середньому вакуумі:: а) λ << d; б) λ≈d; в) λ >>d.
24. Найчастише використовують для отримання високого вакууму системи: а) одноступінчасту; б) двоступінчасту; в) триступінчасту; г) чотириступінчасту.
25. Двоступінчаста система містить: а) ротаційний, дифузійно-паромасляний та векторні системи поглинання; б) форвакуумний та поршневий насоси; в) паромасляний та дифузійний насоси.
26. Продуктивність механічного насосу: а) 100 л/мин; б) 300 л/сек; 1000 л/сек.
27. Продуктивність дифузійного насосу: а) 100 л/мин; б) 300 л/сек; 1000 л/сек.
28. Залишковий тиск в 1 TORR дорівнює: а) 1 мм.рт.ст. та 133 Па; б) 100 мм.рт.ст. та 1330 Па; в) 1 атм. та 105Па.
29. Який залишковий тиск відповідає середньому вакууму: а) до 0,1 TORR; б) 0,1 – 10‑3TORR; в) 10-3 – 10-7 TORR; г) 10-7 – 10-12 TORR.
30. Який залишковий тиск відповідає високому вакууму: а) до 0,1 TORR; б) 0,1 – 10‑3TORR; в) 10-3 – 10-7 TORR; г) 10-7 – 10-12 TORR.
31. Який залишковий тиск відповідає глибокому вакууму: а) до 0,1 TORR; б) 0,1 – 10‑3TORR; в) 10-3 – 10-7 TORR; г) 10-7 – 10-12 TORR.
32. Який залишковий тиск можна міряти манометричним способом: а) 0,01 ‑ 0,5 мм.рт.ст.; б) 20 – 50 мм.рт.ст.; в) 10-7 – 10-3мм.рт.ст.
33. Який залишковий тиск можна міряти термопарнимним способом: а) 0,01 ‑ 0,5 мм.рт.ст.; б) 20 – 50 мм.рт.ст.; в) 10-7 – 10-3мм.рт.ст.
34. Який залишковий тиск можна міряти іонізаційним способом: а) 0,01 ‑ 0,5 мм.рт.ст.; б) 20 – 50 мм.рт.ст.; в) 10-7 – 10-3мм.рт.ст.
35. Принцип вибору метода вимірювання залишкового тиску залежить від: а) ступеня глибини залишкового тиску; б) розмірів робочої камери; в) відстані до пристрою, що вимірює тиск.
36. Три основні способи отримання тонких плівок: а) фізичні, хімічні та високоенергетичні; б) електрохімічний та теплофізичний; в) термодинамічний та молекулярний.
37. Основні конструкції випарників, їх класифікація: а) відкриті та закриті; б) спіральні та проволочені; в) стрічкові та прямого/непрямого нагріву.
38. Як розділяють матеріали за характером плавлення: що розплавлюються при а) постійній та перемінній температурах; б) низьких та високих температурах; в) при температурах вище та нижче 0°С.
39. Перехід речовини із газоподібного стану в рідкий називається: а) сублімація; б) конденсація; в) кристалізація; г) аморфізація.
40. Перехід речовини із газоподібного стану в твердий називається: а) сублімація; б) конденсація; в) кристалізація; г) аморфізація.
41. Низька щільність пари сприяє утворенню: а) щільної епітаксиальної плівки; б) комірчастої структури; в) дендритної пористої структури.
42. Середня щільність пари сприяє утворенню: а) щільної епітаксиальної плівки; б) комірчастої структури; в) дендритної пористої структури.
43. Висока щільність пари сприяє утворенню: а) щільної епітаксиальної плівки; б) комірчастої структури; в) дендритної пористої структури.
44. Максимальний температурний градієнт забезпечує: а) високу адгезийність та аморфність плавки; б) високу щільність та низьку адгезивність; в) високу пористість та аморфність.
45. Мінімальний температурний градієнт забезпечує: а) високу адгезийність та аморфність плавки; б) високу щільність та низьку адгезивність; в) високу пористість та аморфність.
46. Низькотемпературні методи основні на: а)плавленні та випарюванні вихідної речовини способом нагрівання; б) утворенні плазми у розрядному проміжку та ружу іонів до підкладки; в) возгонці атомів вихідної речовини.
47. Високотемпературні методи основні на: а) плавленні та випарюванні вихідної речовини способом нагрівання; б) утворенні плазми у розрядному проміжку та ружу іонів до підкладки; в) возгонці атомів вихідної речовини.
48. Низькотемпературні методи використовують для: а) тугоплавких металів; б) легкоплавких металів; в) аморфних металів.
49. Високотемпературні методи використовують для: а) тугоплавких металів; б) легкоплавких металів; в) аморфних металів.
50. Для металу з високою температурою кипіння використовують: а) холодні способи напилювання; б) гарячі способи напилювання; в) електрохімічні способи нанесення.
51. В однокомпонентних системах при низьких температурах йдуть процеси: а) возгонки або сублімації; б) випару або конденсації; в) твердіння або кристалізації.
52. В однокомпонентних системах при високих температурах йдуть процеси: а) возгонки або сублімації; б) випару або конденсації; в) твердіння або кристалізації.
53. В однокомпонентних системах при високих тисках йдуть процеси: а) возгонки або сублімації; б) випару або конденсації; в) плавлення або твердіння.
54. В багатокомпонентних системах враховують такі фактори: а) взаємну розчинність компонентів, існування нонвариантних перетворень, поліморфізм компонентів; б) кількість поліморфних модифікацій та температури плавлення компонентів.
55. Чим більше фазових перетворень тим: а) менше швидкість нагрівання речовини; б) вище швидкість нагрівання речовини; в) швидкість не має значення.
56. Чим менше фазових перетворень тим: а) менше швидкість нагрівання речовини; б) вище швидкість нагрівання речовини; в) швидкість не має значення.
57. До якої температури потрібно гріти систему з обмеженою розчинністю в рідкому стані: а) до температури солідус; б) до температури однорідного рідкого розчину; в) до температури існування двох нерозчинних рідин.
58. До якої температури потрібно гріти систему з перитектоїдним або евтектоїдним перетворенням: а) до температури однорідного рідкого розчину; б) до температури однорідного твердого розчину; в) до температури двофазної області.
58. Термопарний спосіб. Принцип дії цього приладу базується на тому, що за низької температури нагрівання теплова енергія в термопарі передається за рахунок коливального руху молекул. У зв’язку з цим термоелектрорушійна сила є пропорційною кількості молекул газу в одиниці об’єму робочої камери, тобто тиску газу. Метод дозволяє визначити тиск Р починаючи з 0,01 до 0,5 мм. рт. ст. (рис. 3.12).
Рис.3.12. Схема термопарного способу вимірювання вакууму
Принцип дії термопарного вакуумметра полягає також в тому, що при зниженні тиску газу його теплопровідність зменшується, а отже, підвищується температура хрестоподібної перемички й змінюється ЕРС, відповідно до значення якої, використовуючи градуювальну криву, визначають тиск газу.
Схема та принцип дії термопарного вакуумметра представлена на рисунку 3.13.
Даний прилад зроблений у вигляді скляного балону 4 із трубкою 1 для приєднання до вакуумної системи та вмонтованої в нього термопари 3 з тонких (близько 0,05 мм) дротів, приварених до підігрівача 2.
Термопара та підігрівач з’єднані хрестоподібною перемичкою. У вимірювальну частину вакуумметра входять змінний резистор 7, мілівольтметр 6 та міліамперметр 8.
Підігрівач 2 нагрівається струмом, що подається від джерела живлення 9 через струмове введення 5, регулюється змінним резистором 7 і вимірюється міліамперметром 8. Спай термопари 3, що нагрівається підігрівачем, служить джерелом ЕРС, яку вимірюють мілівольтметром 6.
Рис. 3.13. Термопарний вакуумметр: 1 – трубка; 2 – підігрівач;
3 – термопара; 4 – скляний балон; 5 – струмове введення;6 – мілівольтметр; 7 – змінний резистор; 8 – міліамперметр;9 – джерело живлення
87. Вплив умов охолодження підкладки ефективно позначається на структурі тонких плівок при їх товщині понад 20 ÷ 30 мкм. У плівках меншої товщини більш важливе значення має температура підкладки. Це пов’язане з тим, що температурний градієнт по перетині плівки має невелику величину й тверда фаза буде утворюватися приблизно в тих самих умовах (при однакових переохолодженнях) у повному об’ємі одержуваної плівки.
88. Способи одержання тонкоплівкових матеріалів залежно від характеру охолодження підкладки розрізняють наступні.
1. Прискорене охолодження з неробочої сторони підкладки й уповільнене з робочої сторони. У цьому випадку через розходження коефіцієнтів термічного розширення (КТР) матеріалів підкладки й форми виходять неадгезійні плівки, структура яких визначається умовами охолодження з боку випарника.
2. Уповільнене охолодження з неробочої сторони підкладки й прискорене з боку випарника. У цьому випадку виходять плівки з гарною адгезією до підкладки.
3. Швидке охолодження, як з боку підкладки, так і з боку випарника. При використанні цього методу вибирають тонкі підкладки, товщина яких порівнянна з товщиною одержуваних плівок. У цьому випадку утворення плівки відбувається по однаковому механізмі, як із зовнішньої, так і внутрішньої сторони при незначному температурному градієнті по її перетині. Таким способом одержують аморфні й нанокристалічні тонкі плівки.
4. Повільне охолодження як з боку підкладки, так і з боку випарника. В цьому випадку плівка буде мати крупнокристалічну структуру. У товстих плівках при градієнтному охолодженні діють ті ж принципи структуроутворення, що й при затвердінні злитка.
Зниження щільності до зовнішнього краю плівки пояснюється усадочною розосередженою пористістю. Це явище й такий спосіб одержання плівок використовується для тонкоплівкових матеріалів, що контактують із рідкими середовищами (катодні електроди акумуляторних батарей, підкладки рідкокристальних модулів і т.п.)
89. Залежно від енергії, що підводиться до випарника, ступінь дисоціації матеріалу при переході в пароподібну фазу, розділяється на три рівні:
1. Молекулярна дисоціація – Е1;
2. Часткова (дипольна) дисоціація (часткове руйнування зв’язків молекул або комплексів стехіометричного складу) – Е2;
3. Повна дисоціація, якій відповідає руйнування всіх зв’язків між компонентами вихідного матеріалу – Е3 (рис. 7.30).
Оскільки температура підкладки нижче температури випарника, то в її околиці можуть відбуватися процеси повернення до більш низького ступеня дисоціації. Присутність комплексів з різним ступенем дисоціації призводить до утворення на підкладці різних структур.
Найчастіше наявність частково дисоційованих і не дисоційованих комплексів призводить до утворення пухких структур, що відрізняються по своїй стехіометрії від вихідного матеріалу.
Залежно від механізму взаємодії комплексів поблизу підкладки можуть бути отримані аморфні або нанокристалічні структури при великій енергії взаємодії атомів компонентів або полікристалічні й монокристалічні структури при малій енергії взаємодії компонентів. У цьому випадку енергія взаємодії компонентів збігається з енергією їхньої дисоціації.
Для керування процесами дисоціації біля підкладки часто встановлюють додатковий нагрівальний елемент. З підвищенням температури в області, що прилягає до підкладки, ступінь дисоціації матеріалу буде підвищуватися.
90. вакуумно-термічний метод напилення
91. 94. Найновішим методом випаровування є метод нагрівання речовини, яку випаровують, променями лазеру. У деяких роботах показана можливість одержання тонких плівок шляхом випаровування матеріалів, розміщених у вакуум, за допомогою сфокусованого випромінювання від лазеру, який знаходиться зовні вакуумної камери. Таким способом можна розігріти речовину, що випаровують, до досить високої температури, що дозволяє легко випаровувати тугоплавкі матеріали, які за звичайними способами випаровувати важко
92. Рекомендовано випар електронно-променевим нагріванням або розпилення йонним бомбардуванням.W? Mo
93. вакуум термічний метод, через обмеження в Т
95.метод елекронного бомбардування. Коли ж олово наносилося при нагріванні електронним бомбардуванням на поверхню, попередньо очищену іонами олова, які мали велику швидкість, то зчеплення з підкладкою одержувалося виключно міцним. Такі ж результати були отримані з платиною.
96.іонно-плазмове напилення
98. магнетронні пристрої
100При випарі хрому й кадмію, які важко випаровуються з підігрівників описаних типів, застосовується спосіб, що складається в попередньому гальванічному покритті випаруваним металом ретельно протравленої поверхні підігрівника.
Гальванічне покриття поліпшує тепловий контакт між речовиною, що випаровується, і підігрівником і полегшує процес випару.
Шляхом гальванічного покриття випаровують невеликі кількості хрому й кадмію із вольфраму, срібла й молібдену. При необхідності випару великих кількостей цих металів застосовують гальванічно покриті металом, що випаровується, підігрівники, на які насаджують шматочки речовини, що випаровується
101. випаровування металів у завислому стані у вакуумі з високочастотним нагріванням Розроблена конструкція високочастотного індуктора дозволяє створити умови для стабільного процесу плавлення шматочка матеріалу, що випаровують, у завислому стані. Крапля отриманого розплавленого металу, залишається у завислому стані у продовж всього процесу вакуумного випаровування. Таким способом вдалося отримати шари Al, Ag, Ti, Co, Fe, Cu товщиною 50-100 мг/см2
102. Випаровується із твердого стану (сублімується).Cr.Mg
106. термічне→електронно-променеве→лазерне→ іонне→ магнитронне на постійному тоці→магнетронне на переміному тоці
107. магнетронне на перемінному тоці→ магнитронне на постійному тоці→ іонне→ лазерне→ електронно-променеве→ термічне
109. іонне→лазерне→……………..
110. Високотемпературні (гарячі) – засновані на плавленні й випарі вихідної речовини способом її нагрівання й осадження пари на підкладку. До гарячих методів можна віднести: вакуум-термічний, у тому числі й VDS-процес; плазмово-дуговий та плазмовий високотемпературний методи.
111. 1.Визначити умови возгонки високотемпературної поліморфної модифікації (точка 3, рис. 9.1).
Шукаємо на діаграмі лінію сублімації для цієї точки, опускаємо лінії на осі Р и Т і знаходимо інтервали температур і тисків.
2. Знайти умови паротворення.
Для цього треба спочатку розплавити метал, а потім випарувати. Чим вище тиск, тим більше буде температура плавлення.
112. При конденсації матеріалу на підкладці формуються адгезійно міцні тонкі плівки. Крім цього, якщо рідка плівка добре змочує підкладку, то цим методом можна одержувати гладкі плівки на нерівних поверхнях
114. Для даної системи визначення режиму напилювання буде проходити у два етапи:
– як випарувати дану речовину;
– як потім провести його осадження на підкладку.
Дата добавления: 2015-02-16; просмотров: 75 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав |