Читайте также:
|
С произвольным доступом. Выбор места хранения информации производится непосредственным подключением входов и выходов элементов памяти входым выходным шинам запоминающим устройствам.
С последовательным доступом. Для доступа к блоку данных необходимо перенести носитель так что нужный блок данных располагался под блокам головок чтения/записи. (накопитель на магнитной ленте, оптические диски).
С прямым (циклическим) доступом. Возможность обратится к любому элементу за равные промежутки времени, сочетается с необходимостью механического перемещения носителя относительно головок чтения.
29. Что в иерархической системе памяти определяют термины «промах» и «попадание».
30. Основные характеристики оперативной памяти ПЭВМ.
В отличие от статического, которые строятся на триггерах с непосредственными связями (состоящие из 4, либо 6 транзисторов) и могут неограниченно долго хранить информацию при включенном питании, запоминающий элемент динамического типа состоит из 1 конденсатора и 1 транзистора. Это обуславливает очень короткий промежуток времени для хранения записанной информации и необходимость ее регенерации (1-2 мили сек). Регенерацией занимается контроллер памяти.
Характеристики:
· Емкость,
· Стоимость,
· Длительность цикла обращения (время доступа + время регенерации) 
· Пропускная способность – количество единиц информации передаваемой за 1 секунду.
· Разрядность шины памяти, должна быть согласованна с разрядностью шины данных процессора. (для этого вводятся кэш1, кэш2 уровня)
· Частота синхронизации – частота, с которой контроллер памяти выдает тактовый импульс.
· Частота передачи данных – частота, на которой передаются данные.
· Латентность – задержка между поступлением команды и ее реализации.
31. Пути повышения пропускной способности оперативной памяти.
32. Принцип блочной организации оперативной памяти.
Оперативная память имеет блочную организацию.
Если разрядность запоминающей ячейки микросхемы памяти < разрядности слова шины данных системного интерфейса, то несколько ИМС объединяются в модули. В модуле может быть и 1 микросхема, если она имеет разрядность. Совокупность модулей – банк памяти. Совокупность банков – блок.
Блочная организация позволяет:
1. Уменьшить разрядность адреса необходимого слова выставляемого на шину адреса системного интерфейса.
2. позволяет увеличить разрядность слова выставляемого на шину данных системного интерфейса.
3. Позволят использовать преимущество расслоения памяти (когда n последовательных адресов приходятся на n банков).
4. Чередование адресов (банков) – номер банка кодировался младшими линиями адреса …
5. Использование независимых банков памяти (со своими контроллерами для поддержки.
33. Преимущества блочной организации оперативной памяти.
34. ДЗУПВ: УГО, применение, принцип работы, основные типы и характеристики.
DRAM (Dynamic random access memory, Динамическая память с произвольным доступом) — тип энергозависимой полупроводниковой памяти с произвольным доступом; DRAM широко используемая в качестве оперативной памяти современных компьютеров, а также в качестве постоянного хранилища информации в системах, требовательных к задержкам.
Как запоминающее устройство, DRAM представляет собоймодуль памяти различных конструктивов, состоящий из электрической платы, на которой расположены микросхемы памяти и разъёма, необходимого для подключения модуля к материнской плате.
Основными характеристиками DRAM являются рабочая частота и тайминги. Основными таймингами DRAM являются: задержка между подачей номера строки и номера столбца, называемая временем полного доступа (англ. RAS to CAS delay), задержка между подачей номера столбца и получением содержимого ячейки, называемая временем рабочего цикла (англ. CAS delay), задержка между чтением последней ячейки и подачей номера новой строки (англ. RAS precharge). Тайминги измеряются в наносекундах или тактах, и чем меньше величина этих таймингов, тем быстрее работает оперативная память.
Основные типы:
1. Страничная память
2. Быстрая страничная память
3. EDO DRAM – память с усовершенствованным выходом
4. SDR SDRAM — синхронная DRAM
5. Enhanced SDRAM (ESDRAM)
6. Пакетная EDO RAM
7. Video RAM
8. DDR SDRAM
9. Direct RDRAM или Direct Rambus DRAM
10. DDR SDRAM
11. DDR2 SDRAM
12. DDR3 SDRAM
35. СЗУПВ: УГО, применение, принцип работы, основные типы и характеристики.
Статическая оперативная память с произвольным доступом (SRAM, static random access memory) — полупроводниковая оперативная память, в которой каждый двоичный или троичный разряд хранится в схеме с положительной обратной связью, позволяющей поддерживать состояние сигнала без постоянной перезаписи, необходимой в динамической памяти (DRAM).
36. Конструктивное исполнение модулей памяти.
1.SIMM (Single Inline Memory Module).
2.SIPP. С односторонним краевым разъемом
3.DIMM (Dual Inline Memory Module).
4.RIMM. Используется для RDRAM.
5.SO-DIMM (Small Outline Dual Inline Memory Module).
6.mSO-DIMM – micro SO-DIMM.
37. Что такое регенерация памяти?
Динамическая память любого типа, в отличие от статической, даже при подаче питающих напряжений не обладает способностью хранить свою информацию сколь угодно долго. Состояние элементарной ячейки динамической памяти определяется наличием или отсутствием заряда на конденсаторе, и этот заряд подвержен утечке. Поэтому для сохранения данных в динамической памяти ее ячейки необходимо периодически подзаряжать, что и составляет суть процесса регенерации. Как это происходит, чуть ниже.
При выполнении операции чтения регенерация выполняется автоматически. Полученные на усилителе сигнала данные тут же записываются обратно.
38. Что такое латентность памяти?
Латентность – задержка между поступлением команды и ее реализации.
39. Энергонезависимая память. Основные типы и их характеристики
энергонезависимая память — любое устройство компьютерной памяти, или его часть, сохраняющее данные вне зависимости от подачи питающего напряжения.
Постоянная память включается в архитектуру ЭВМ в частности для хранения информации в BIOS. Она является энергонезависимой.
Основным режимом работы ПЗУ является считывание данных, что определяет их общее название Read Only Memory (ROM). Запись в данную память называется программированием, этот процесс существенно сложнее и требует больших затрат времени и энергии (чем считывание, или запись для других устройств), требуется высокое напряжение для программирования от 12 до 26 вольт.
Классификация по возможности программирования: не программируемые, программируемые.
Не программированные – обычные штамповочные или массовые ПЗУ (ROM).
Программируемые – однократно программируемые (осуществляется прожигом, плавкой перемычек PROM); электрически программируемые (многократно программируемые) EPROM (или стираемые Erase/electric PROM). Делятся на 2 класса в зависимости от стирания информации (1ультрафиолетом или рентгеновскими лучами, 2 электрические)
EEPROM – относится к классу энергонезависимой памяти с произвольным доступом (Non-Volatile Random Access Memory «NVRAM»). «NVRAM» подразумевает возможность произвольной смены информации не только во всей области или блоке, но и в отдельной ячейке, это выполняется при помощи обычного машинного цикла.
К данному классу можно отнести так же микросхемы FRAM (Ferro electrical RAM – память с произвольным доступом). Под влиянием электрического поля происходит поляризация кристаллов, которая сохраняется в течении длительного времени после выключения поля. Изменение направления поля на противоположное вызывает быстрое переключение (за 1 нано сек) поляризации. Ячейки памяти FRAM по структуре напоминают DRAM (динамические), но информация уже храниться не в виде заряда конденсатора (который нужно регенерировать), а в виде направления поляризации кристалла. Предварительного стирания не требуется, число циклов перезаписи не ограничено, время хранения 10 лет. Используется в портативных устройствах.
Флешь-память (Flash Erase EEPROM). Мгновенное стирание. Применено компромиссное решение. Нельзя стереть отдельное слово, можно только блоками (512 байт). Это устраняет недостаток EPROM, потребность в сложных схемах управления, необходимых для возможности отдельного стирания байт информации. Во флешь памяти достаточно 1 транзистора на ячейку, более того, современная флешь память позволяет, на одной ячейке хранить несколько бит информации. Схема адресации проще, поэтому флешь-память работает быстрее чем EPROM.
Энергонезависимая память может использоваться двояко.
1 Она может включаться в пространство памяти, и тогда процессор может использовать ее для хранения данных и программного кода.
2 Она может использоваться в качестве носителя, устройств хранения данных (внешних запоминающих устройств). В этом случае для доступа к ней (как к внешней памяти) требуются интерфейсные адаптеры и контроллеры.
40. Назначение и логика работы кэш-памяти, факторы, влияющие на эффективность ее использования.
Дата добавления: 2015-09-10; просмотров: 94 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав |