1) Iк = a / 1- a × Iб + 1 / 1- a × Iкбо = b × Iб + (1+b)× Iкбо» b × Iб,
где: a - коэфициент передачи по току (т.е. коэфициент передачи тока из эмиттерной цепи в коллекторную) в схеме с ОЭ.
Т.к. b>>1, то в схеме с ОЭ возможно усиление по току (потому, что Iб<<Iк!).
2) Ток базы закрытого транзистора
При Uбэ = 0 (транзистор закрыт) Iб» Iкбо, т.е. из базы вытекает ток,» обратному тепловому току перехода К-Б.
3) Входное сопротивление
Тогда ток базы, который также зависит и от Uбэ можно примерно определить так:
Iб = Iк × b, где b = h21 э
4) Коэфициент усиления по напряжению
5) Коэфициент усиления по току
6) Выходное сопротивление
· Режим насыщения
В этом режиме оба перехода смещены в прямом направлении.
Внешним проявлением режима насыщения является отсутствие зависимости Iк от Iб. Для схемы с ОЭ существует некоторый “граничный” ток Iбн, при котором достигается насыщение коллекторного тока
Iкн = b × Iбн
При дальнейшем увеличении тока базы ток коллектора не увеличивается и может быть введен некоторый коэфициент, характеризующий:
1) Степень насыщения
N = Iб / Iбн Þ Iкн = N × Iк
2) Входное сопротивление
Rвхн = Rвх / b, где Rвх - входное сопротивление в активной линейной области.
3) Выходное напряжение
Uвых = Uкэн» Uбэ
Это так называемое остаточное напряжение на участке К - Э, слабо зависящее от величины коллекторного тока.
4) Выходное сопротивление
Rвых» rкэ» Rвых / b» Rк / b,где Rвых - выходное сопротивление в активной линейной области.
· Режим отсечки
В этом режиме оба перехода смещены в обратном направлении.
1) Iэ» 0
2) Iк» Iкбо
3) Iб» - Iкбо
Границей режима отсечки является обратное напряжение (напряжение отсечки) на переходе Б-Э (Uбэобр), при котором Iэ = 0!
В большинстве цифровых схем Uбэобр такое, при котором Iб уменьшается в 100-200 раз!!
Дата добавления: 2014-12-18; просмотров: 90 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав |