Главная страница | Контакты | Случайная страница Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Динамические параметры.

Это параметры, которые совместно с такими же параметрами других компонентов схемы определяют вид АЧХ линейной схемы или характер переходных процессов в ключевых схемах.

Частотные свойства транзистора в активном режиме определяются:

· инерционностью процессов распространения подвижных носителей в транзисторной структуре (в основном на базе);

· наличием емкостей переходов (в частности барьерной емкостью коллекторного перехода) и конечным значением внутренних сопротивлений;

· эффектами накопления и рассеивания зарядов.

Обычно, для упрощения анализов динамических процессов, большую часть источников инерционности процессов в транзисторе сводятся к эквивалентным емкостям (зависящим, в общем случае, от напряжения и частоты). За счет этого получают достаточно простые эквивалентные схемы транзистора на переменном токе, приведенные на рис.5.6.

Рис.5.6. Эквивалентные схемы для активного режима а) и режима отсечки б).

Коэфициент передачи по току может быть представлен характеристикой ФНЧ первого порядка

, где w_b - частота среза.

Во временной области эта зависимость имеет вид:

, где t_b = 1 / w_b - постоянная времени изменения коэфициента передачи по току.

Граничной частотой усиления (или “частотой единичного усиления”) называют частоту, при которой модуль коэфициента усиления уменьшается до 1.

В практических в расчетах используется соотношение

w_гр = b × w_b

t_a = t_b / (1+b) или t_b = (1+b) t_a» b × t_a,

где t_a = 1 / 2pf_a, f_a - граничная частота усиления для схемы с ОЭ, которая приводится обычно в справочных данных!

Кроме f_a в справочных данных приводятся значения t_a и t_b, а также величины емкостей эмиттерного (С^*_эо) и коллекторного (С^*_ко) переходов при Uкб=0, Uэб=0, Uкк и Uэк - контактная разность потенциалов переходов К-Б и Э-Б.

· Особенности переходных процессов в ключевом режиме работы

транзистора вкюченного, например, по схеме с ОЭ заключается в наличии времени рассасывания заряда неосновных носителей, накопленного в базе при протекании тока в отрытом и насыщенном состоянии. Причем, с увеличением Iкн увеличивается tр!

Iк (t) = b (t) × Iб

Iкн = b_о × Iбн ® Iбн = S × Iбо