Читайте также:
|
ВАХ- функциональная зависимость анодного тока диода от напряжения, приложенного между анодом и катодом.
Стабилитрон (диод Зенера) — полупроводниковый диод, предназначенный для поддержания напряженияисточника питания на заданном уровне. По сравнению с обычными диодами имеет достаточно низкое регламентированное напряжение пробоя (при обратном включении) и может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока. Материалы, используемые для создания p-n перехода стабилитронов, имеют высокую концентрацию легирующих элементов (примесей). Поэтому, при относительно небольших обратных напряжениях в переходе возникает сильное электрическое поле, вызывающее его электрический пробой, в данном случае являющийся обратимым (если не наступает тепловой пробой вследствие слишком большой силы тока).
В основе работы стабилитрона лежат два механизма:
· Лавинный пробой p-n перехода
· Туннельный пробой p-n перехода
Ограничитель напряжения - это полупроводниковый диод, работающий на обратной ветви ВАХ с лавинным пробоем и (или) на прямой ветви характеристики, и предназначены для защиты о перенапряжения электрических цепей интегральных и гибридных схем, радиоэлектронных компонентов и многих других цепей аппаратуры.
Обладая одинаковыми со стабилитронами физическими принципами действия, эти приборы имеют несколько отличную о них систему параметров, конструкцию и систему испытаний, обеспечивающих высокие уровни допустимых импульсных токов нагрузки.
Ограничители напряжения могут быть несимметричными и симметричными. Приборы первой группы предназначены для защиты цепей постоянного тока, второй - переменного тока.
Несимметричные ограничители напряжения имеют время срабатывания при работе на обратной ветви единицы пикосекунд и по прямой ветви - единицы наносекунд. Малое время срабатывания этих приборов обеспечивает защиту цепей аппаратуры практически от всех видов перенапряжения, возникающих в ее цепях.
Диоды СВЧ (Сверхвысокочастотные диоды) — полупроводниковый диод, предназначенный для работы в сантиметровом диапазоне волн. Диод содержит между двумя сильно легированными областями высокой проводимости n+ и p+ активную базовую i-область с низкой проводимостью и большим временем жизни носителей заряда, то есть p-i-n-переход. Это позволяет снизить его емкость и повысить частоту работы элемента.
Проводимость диода зависит от длины волны, интенсивности и частоты модуляции падающего излучения. Обедненный слой существует почти во всей области собственной электропроводности, которая имеет постоянную ширину даже при обратном включении. Область собственной электропроводности может быть расширена с помощью увеличения зоны рекомбинирования электронов и дырок. Этим обуславливается применение p-i-n диодов в фотодетекторах.
Сверхвысокочастотные диоды подразделяют на:
Дата добавления: 2015-02-16; просмотров: 91 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав |