Главная страница | Контакты | Случайная страница Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Прибор, условное обозначение которого изображено на рисунке, относится к разряду

- индикаторов

- оптронов

Прибор, условное обозначение которого изображено на рисунке, относится к разряду

-

-

-

- оптронов

В качестве приемников излучения в оптронной паре используются

- фототранзисторы

- фоторезисторы

Без навес­ных элементов могут быть изготовлены микросхемы

- совмещенные

полупроводниковые

Гибридными называют микросхемы, в которых

- используются пленочные элементы и навесные компоненты

Полупроводниковыми называют микросхемы, в которых

- все элементы выполнены в глубине полупроводниковой подложки

- используется диэлектрическая подложка

Полупроводниковая интегральная микросхема – это микросхема

- в которой все элементы выполнены в объеме, а межэлементные соединения на поверхности полупроводника

Совмещенная интегральная микросхема – это микросхема

- пассивные элементы которой делают пленочными, а активные в глубине полупроводникового кристалла

Гибридная интегральная микросхема – это микросхема

— пассивные элементы которой делают, как правило, пленочными, а активные – навесными

По функциональному назначению интегральные схемы подразделяются на

- аналоговые и цифровые

По виду обрабатываемого сигнала интегральные схемыподразделяются на

- усилительные и импульсные

Основой для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем является

- кремний

Эпитáксия – это технологический процесс

- наращивания монокристаллических слоев на полупроводниковую подложку

Термическое окисление – это

- окисление кремния с целью получения пленки двуокиси кремния

Фотолитография – это

- процесс получения требуемой конфигурации в диэлектрических и металлических пленках, нанесенных на поверхность полупроводниковых или диэлектрических подложек

Легирование – это

- операция введения необходимых примесей в монокристаллический полупроводник

Подложки гибридных интегральных схем служат

- диэлектрическим и механическим основанием для пленочных и навесных элементов и для теплоотвода

В качестве пленочных резисторов интегральных микросхемиспользуются

- полоски металла, сплава металлов, кермет (смесь частиц металла и диэлектрика)

Диэлектрическим слоем пленочных конденсаторов служит

- окислы полупроводниковых материалов

Обкладки тонкопленочных конденсаторов изготавливаются

- из алюминия

Невозможно изготовить в структуре полупроводниковой интегральной схемы

- индуктивность

В виде пленок гибридных интегральных микросхем изготавливаются

- резисторы, индуктивности

Изоляция между элементами в полупроводниковой микросхеме, при которой n-p-n транзистор создается внутри объема полупроводника и изолируется от других частей микросхемы пленкой двуокиси кремния, называется

- диэлектрической

Изоляция между элементами в полупроводниковой микросхеме, при которой n-p-n транзистор создаётся внутри объема полупроводника и изолируется от других частей микросхемы пленкой двуокиси кремния по вертикали, а по горизонтали p-nпереходом со скрытым n⁺ слоем, называется

- комбинированной

Изоляция между элементами в полупроводниковой микросхеме, при которой n-p-n транзистор создаётся внутри объема полупроводника и изолируется от других частей микросхемы p-n переходом со скрытым n⁺слоем, называется

- диодной

Изоляция интегрального п-р-п транзистора при которой потенциал подложки транзистора будет наименьшим из потенциалов точек структуры называется

- воздушной