Главная страница | Контакты | Случайная страница Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Иллюстрации к лекции 10.

1. Конституция РФ (принята всенародным голосованием 12.12.1993), (с учётом поправок).

2. Гражданский кодекс РФ (часть первая) от 30.11.1994 N 51-ФЗ (с изм.);

3. Гражданский кодекс РФ (часть вторая) от 26.01.1996 N 14-ФЗ) (с изм.).

4. Кодекс Российской Федерации об административных правонарушениях от 30.12.2001 N 195-ФЗ (с изм.).

5. Трудовой кодекс РФ от 30.12.2001 N 197-ФЗ (с изм.).

6. Уголовный кодекс РФ от 13.06.1996 N 63-ФЗ (с изм.).

7. Федеральный закон от 21.11.2011 № 323-ФЗ (с изм.) «Об основах охраны здоровья граждан в РФ».

8. Федеральный закон от 12.04.2010 N 61-ФЗ (с изм.) «Об обращении лекарственных средств».

9. О защите прав потребителей / Закон РФ от 07.02.1992 N 2300-1 (с изм.).

10. Об утверждении Положения о Министерстве здравоохранения Российской Федерации / Постановление Правительства РФ от 19.06.2012 N 608 (с изм.).

11. О лицензировании фармацевтической деятельности / Постановление Правительства РФ от 22 декабря 2011 г. N 1081(с изм.).

12. Постановлением Правительства №55 «Об утверждении правил продажи отдельных видов товаров, перечня товаров длительного пользования, на которые не распространяется требования покупателя о безвозмездном предоставлении ему на период ремонта или замены аналогичного товара, и перечня непродовольственных товаров надлежащего качества, не подлежащих возврату или обмену на аналогичный товар других размера, формы, габарита, фасона, расцветки или компенсации»

Иллюстрации к лекции 10.

¨ Элементарными (или простыми) полупроводниками являются двенадцать элементов периодической системы Д.И. Менделеева:

элементы 3 группы - В (бор);

элементы 4 группы - С (углерод), Si (кремний), Ge (германий), Sn (олово);

элементы 5 группы - Р (фосфор), As (мышьяк), Sb (сурьма);

элементы 6 группы - S (сера), Se (селен), Te (теллур);

элементы 7 группы - J (йод).

Двойные химические соединения полупроводников:

A¹B⁵ (KSb, K3Sb, CsSb, Cs₃Sb);

A¹B⁶ (CuO, Cu₂O, CuS, Cu₂S, Cu₂Se, Cu₂Te, AgTe);

A¹B⁷ (CuCl, CuBr, CuJ, AgCl, AgBr, AgJ);

A²B⁴ (Mg₂Si, Mg₂Ge, Mg₂Sn, Ca₂Si, Ca₂Sn, Ca₂Pb);

A²B⁵ (ZnSb, CdSb, Mg₃Sb₂, Zn₃As₂, Cd₃P₂, Cd₃As₂);

A²B⁶ (ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe);

A²B⁷ (ZnCl₂, ZnJ₂, CdCl₂, CdJ₂);

A³B⁵ (AlP, AlSb, AlAs, GaP, GaSb, GaAs, InP, InSb, InAs);

A³B⁶ (GaS, GaSe, InS, InSe, In₂O₃, In₂S₃, In₂Se₃, In₂Te₃, Te₂S); A⁴B⁴ (SiC, SiGe);

A⁴B⁶ (GeO₂, PbS, PbSe, PbTe, TiO₂, GeTi, SnTe, GeS);

A⁶B⁶ (MoO₃,WO₃);

A⁸B⁶ (Fe₂O₃, NiO).

A³B⁵ Al_xGa_1-xAs, Ga_xIn_1-xP, Ga_xIn_1-xSb (оптоэлектронные приборы)

Тройные химические соединения полупроводников:

A¹B³B₂⁶ (CuAlS₂, CuInS₂, CuInSe₂, CuInTe₂, AgInSe₂, AgInTe₂, CuGaSe₂, CuGaTe₂);

А¹B⁵B₂⁶ (CuSbS₂, CuAsS₂, AgSbSe₂, AgSbTe₂, AgBiS₂, AgBiSe₂, AgBiTe₂);

А¹B⁸B₂⁶ (CuFeSe₂, AgFeSe₂, AgFeTe₂);

А²B⁴B₂⁵ (ZnSiAs₂, ZnGeAs₂);

А⁴B⁵B₂⁶ (PbBiSe₂).

Аморфными полупроводниками являются соединения класса A⁵B⁶ (наиболее известны As₂S₃ и As₂Se₃).

К органическим полупроводниковым материалам относятся такие материалы, как бензол, нафталин, антрацен и др. Интерес к органическим полупроводникам вызван тем, что в некоторых из них полупроводниковые свойства сочетаются с эластичностью, которая позволяет изготавливать рабочие элементы в виде гибких лент и волокон.

Полупроводники - вещества, характеризующиеся увеличением электрической проводимости с ростом температуры.

Часто полупроводники определяют как вещества с удельной электрической проводимостью промежуточной между ее значениями для металлов (σ=10⁶ -10⁴ Ом^-1 см^-1) и для хороших диэлектриков (σ=^-12 — 10^-10 Ом^-1 см^-1.

Гетеропереходом называют контакт двух полупроводников различного вида и разного типа проводимости, например pGe — nGaAs.

Главное отличие гетеропереходов от типичного р-n-перехода заключалось в том, что в обычных р-n-переходах используется один и тот же вид полупроводника.

Различают следующие виды сверхрешёток:

• Композиционные сверхрешётки — эпитаксиально выращенные периодически чередующиеся тонкие слои полупроводников с различной шириной запрещённой зоны.

• Легированные сверхрешётки — периодический потенциал образуется путём чередования ультратонких слоёв n- и p-типов полупроводника, которые отделяются друг от друга нелегированными слоями.

• Спиновые сверхрешётки — образованные периодическим чередованием слоёв одного и того же полупроводника. Одни слои легируются немагнитными примесями, а другие — магнитными. Без магнитного поля энергетическая щель во всей сверхрешётке постоянна, периодический потенциал возникает при наложении магнитного поля.

• Сверхрешётки, сформированные в двумерном электронном слое (например в системе МДП: металл-диэлектрик-полупроводник) путём периодической модуляции плоскости поверхностного заряда.

• Сверхрешётки, потенциал в которых создаётся периодической деформацией образца в поле мощной ультразвуковой или стоячей световой волны.

Наряду со сверхрешётками из полупроводников, существуют также магнитные сверхрешётки и сегнетоэлектрические сверхрешётки. Первооткрывателями твердотельных сверхрешёток являются Тсу и Эсаки.

Полупроводниковые сверхрешетки обладают особыми физическими свойствами, главные из которых следующие:

• существенное изменение в сравнении с исходными полупроводниками энергетического спектра;

• наличие большого числа энергетических зон;

• очень сильная анизотропия (двумерность);

• подавление электронно-дырочной рекомбинации;

• концентрация электронов и дырок в сверхрешетке является перестраиваемой величиной, а не определяется легированием;

• широкие возможности перестройки зонной структуры.