Студопедия  
Главная страница | Контакты | Случайная страница

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Компонентное проектирование

Читайте также:
  1. В 2011 году началось проектирование КАД2, которая пройдёт на расстоянии 1-2 км к 2017 году, а к 2020 году будет полностью введена в строй.
  2. Задание на дипломное проектирование
  3. Каноническое проектирование информационных систем
  4. Каноническое проектирование ИС
  5. Курсовое проектирование
  6. Курсовое проектирование
  7. Курсовое проектирование
  8. Курсовое проектирование
  9. Лекция. Проектирование и ценообразование в строительстве

На данном этапе решаются следующие основные задачи:

• рассчитывается физическая структура ИС (диффузионный профиль, электрофизические параметры в различных диффузионных слоях) для заданной последовательности технологических операций с заданными параметрами и проводится оптимизация параметров технологического процесса для получения заданной физической структуры;

• рассчитываются характеристики и параметры резистивных и транзисторных планарно-эпитаксиальных струк­тур с учетом двумерного распределения плотности носителей заряда;

• проводится оптимизация физической структуры и топо­логии биполярного или МОП-транзистора при наложении ограничений на его параметры;

• рассчитываются характеристики, параметры металлизированных внутрисхемных соединений (с учетом их распределенного или сосредоточенного характера) и их взаимное влияние.

Физическая структура ИС определяется требованиями к основному транзистору, оказывающему наиболее сильное влияние на параметры схемы.

Изменяя только геометрию компонентов, можно полу­чать их различные характеристики.

Выбор оптимальной геометрии компонентов ИС (осо­бенно транзисторов) становится в настоящее время одной из важнейших задач. Практически для каждой ИС следует брать геометрию компонентов, наиболее целосообразную в данном конкретном случае. На­пример, если в схеме используются транзисторы, вклю­ченные параллельно, то предпочтительно использовать общий коллектор внутри одной изолированной области; если схема должна обеспечивать высокую скорость пере­ключения, то используют компоненты малых геометриче­ских размеров; если схемы должны работать при больших токах, то используют компоненты с увеличенными геометрическими размерами.

Проектирование ИС ведется на освоенном технологиче­ском процессе, либо для разрабатываемой серии ИС создает­ся новый технологический процесс. В зависимости от этого определяется и характер задач, решаемых на рассматривае­мом этапе проектирования. В том случае, когда проектиро­вание ведется на освоенном технологическом процессе, необ­ходимо получить электрические параметры активных ком­понентов различной геометрической конфигурации, причем желательны те параметры, которые описывают модели ком­понентов, используемые на этапе схемотехнического проек­тирования.

На первых этапах развития микроэлектроники логи­ческие ИС в смысле схемотехники представляли аналоги уже известных схем, выполненных на дискретных компонентах. Структурно-топологически они представляли собой сформи­рованные в одном кристалле полупроводника активные и пассивные компоненты, расположенные в отдельных изоли­рованных областях и объединенные в функциональную схему металлизацией. При таком способе изготовления схемотехни­ческие и структурно-топологические решения были слабо взаимосвязаны. Сейчас получили большое распространение функционально-интегрированные элементы, в которых одни и те же области полупроводниковой физической структуры выполняют различные функции.

Завершается этап определением численных значений пара­метров компонентов различной геометрической конфигурации для имеющихся или предполагаемых технологических про­цессов изготовления ИС. В случае необходимости определяет­ся комплекс требований ко вновь разрабатываемому техноло­гическому процессу изготовления ИС.

 

 




Дата добавления: 2014-12-18; просмотров: 99 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав




lektsii.net - Лекции.Нет - 2014-2025 год. (0.006 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав