Читайте также:
|
|
На данном этапе решаются следующие основные задачи:
• рассчитывается физическая структура ИС (диффузионный профиль, электрофизические параметры в различных диффузионных слоях) для заданной последовательности технологических операций с заданными параметрами и проводится оптимизация параметров технологического процесса для получения заданной физической структуры;
• рассчитываются характеристики и параметры резистивных и транзисторных планарно-эпитаксиальных структур с учетом двумерного распределения плотности носителей заряда;
• проводится оптимизация физической структуры и топологии биполярного или МОП-транзистора при наложении ограничений на его параметры;
• рассчитываются характеристики, параметры металлизированных внутрисхемных соединений (с учетом их распределенного или сосредоточенного характера) и их взаимное влияние.
Физическая структура ИС определяется требованиями к основному транзистору, оказывающему наиболее сильное влияние на параметры схемы.
Изменяя только геометрию компонентов, можно получать их различные характеристики.
Выбор оптимальной геометрии компонентов ИС (особенно транзисторов) становится в настоящее время одной из важнейших задач. Практически для каждой ИС следует брать геометрию компонентов, наиболее целосообразную в данном конкретном случае. Например, если в схеме используются транзисторы, включенные параллельно, то предпочтительно использовать общий коллектор внутри одной изолированной области; если схема должна обеспечивать высокую скорость переключения, то используют компоненты малых геометрических размеров; если схемы должны работать при больших токах, то используют компоненты с увеличенными геометрическими размерами.
Проектирование ИС ведется на освоенном технологическом процессе, либо для разрабатываемой серии ИС создается новый технологический процесс. В зависимости от этого определяется и характер задач, решаемых на рассматриваемом этапе проектирования. В том случае, когда проектирование ведется на освоенном технологическом процессе, необходимо получить электрические параметры активных компонентов различной геометрической конфигурации, причем желательны те параметры, которые описывают модели компонентов, используемые на этапе схемотехнического проектирования.
На первых этапах развития микроэлектроники логические ИС в смысле схемотехники представляли аналоги уже известных схем, выполненных на дискретных компонентах. Структурно-топологически они представляли собой сформированные в одном кристалле полупроводника активные и пассивные компоненты, расположенные в отдельных изолированных областях и объединенные в функциональную схему металлизацией. При таком способе изготовления схемотехнические и структурно-топологические решения были слабо взаимосвязаны. Сейчас получили большое распространение функционально-интегрированные элементы, в которых одни и те же области полупроводниковой физической структуры выполняют различные функции.
Завершается этап определением численных значений параметров компонентов различной геометрической конфигурации для имеющихся или предполагаемых технологических процессов изготовления ИС. В случае необходимости определяется комплекс требований ко вновь разрабатываемому технологическому процессу изготовления ИС.
Дата добавления: 2014-12-18; просмотров: 99 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав |