Читайте также:
|
|
1. Степень минерализации эмали - содержание в эмали кальция и фосфора. Чем больше минерализована эмаль, тем меньше ее проницаемость. Это обусловлено тем, что по мере роста кристаллов ГА, увеличения плотности укладки кристаллов уменьшается слой эмалевой жидкости, окружающий кристаллы. Это создает механическое препятствие для проникновения растворимых в воде веществ.
Деминерализация эмали при патологических процессах, например, при определенной стадии развития кариеса, повышает проницаемость эмали.
2. Пелликула - органическая пленка на зубах препятствует поступлению веществ в эмаль.
3. Наличие дефектов в эмали, например, микротрещины увеличивают проницаемость эмали.
4. Физические факторы (ультразвук, электрофорез) увеличивают проницаемость.
События после прохождения ионов в эмалевую жидкость
1. Накопление на поверхности кристаллов ГА. Часть проникающих ионов накапливается в гидратной оболочке, окружающей кристалл ГА. Накопление происходит в течение нескольких минут после входа ионов в эмаль. Накопление обусловлено поверхностным зарядом кристаллов ГА. Заряд возникает вследствие наличия «дефектов» в кристаллической решетке. Теоретически состав ГА выражается формулой Са10(РО4)6(ОН)2, ему соответствует соотношение Са/Р 1,67. Реально это соотношение находится в пределах 1,33 -2,0, то есть на деле состав ГА отличается от теоретического. Так, например, может быть восьмикальциевый апатит. В том месте кристаллической решетки, где присутствует такой апатит имеется отрицательный заряд. [Ca8] 16+[(PO4)6(OH)2]20-
2.Проникновение ионов в кристалл. Часть накапливающихся ионов могут зайти в гидратную оболочку и выйти из нее. Однако другие ионы способны проникать в поверхность кристалла. Проникновение зависит от природы, размера, величины заряда иона. Проникают, например, такие ионы как Са2+, Sг2+, Мg2+, Ва2+, НРО42-,F-,Н+. Проникновение происходит в течение нескольких часов.
3. Внедрение ионов к кристаллическую решетку ГА (внутрикристаллический обмен). Идет в течение многих месяцев. Внедрение в кристаллическую решетку ГА происходит по принципу компенсации заряда двумя путями.
1). Занятие ионом вакантных мест в решетке. Так, например, в восьмикальциевый ГА компенсируя избыток отрицательного заряда может встроиться ион кальция, магния и другие катионы.
2). Замещение ионом иона кристалла ГА. Замещение может быть гомо- или гетерогенным. При гомогенном замещении, например, Са2+
замещает Са2+. При гетерогенном - катион Са2+ или анионы РО43-, ОН-- кристалла ГА замещаются другими катионами или анионами. Например:
Са10(РО4)6(ОН)2 + Mg2+→ Са9Mg(РО4)6(ОН)2 + Са2+ (1)
Са10(РО4)6(ОН)2 + 2Н+ → Са9Н2(РО4)6(ОН)2 + Са2+ (2)
Са10(РО4)6(ОН)2 + F- → Са10(РО4)6 F(ОН) + OH- (3)
Са10(РО4)6(ОН)2 + 20F- → 10 СаF2 + 6 (РО4)3- + 2OH- (4)
Дата добавления: 2014-12-20; просмотров: 80 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав |