Читайте также:
|
|
Теория кристаллического поля исходит из того, что природа лигандов и их расположение вокруг центрального иона (симметрия комплекса) уменьшают вырождение d -орбиталей и изменяют их энергию.
Рассмотрим это на примере комплексного иона октаэдрической симметрии [ML6] n +, в котором центральный атом имеет электронную конфигурацию d 1. Ион M n + расположен в центре октаэдра, сoвпадающем с началом прямоугольной системы координат, а лиганды – в вершинах октаэдра, через которые проходят оси координат (x, y, z).
Орбитали dx ²– y ² и dz ² совпадают с координатными осями, а остальные три (dxy, dxz, dyz) проходят вдоль биссектриc соответствующих координатных углов (рис. 9.5). B отсутствии лигандов все пять орбиталей были энергетически равноценны. Но с появлением лигандов в вершинах октаэдра электрон, находясь на орбиталях dx ²– y ² и dz ², испытывает сильное отталкивание от отрицательно заряженных лигандов или от отрицательного конца полярной молекулы. Другие три орбитали попадают в области с минимальными значениями отрицательного потенциала, поэтому вероятность нахождения электрона на орбиталях dxy, dxz, dyz будет больше. Это соответствует тому, что под действием лигандов прежде энергетически равноценные d -орбитали разделились на две группы: орбитали dx ²– y ² и dz ²(d & gamma; ) *), энергетически невыгодные для электрона, и орбитали dxy, dxz, dyz (d ε) *) с меньшей энергией. Схема расщепления d -орбиталей октаэдрическим (тетраэдрическим) окружением показана на рис. 9.5.
Разность между d ε и d γ-уровнями обозначается через Δокт (Δтетр) и называется параметром расщепления *).
*) В научной литературе орбитали обычно d γ и d ε обозначают eg и t 2 g , а параметр расщепления 10 Dq.
![]() |
Рисунок 9.5 Диаграмма расщепления d -орбиталей в поле лигандов |
Из рис. 9.5 следует, что заселение любой d ε-орбитали одним электроном приводит к уменьшению на 0,4Δокт энергии октаэдрического комплекса, т. е. стабилизирует его по сравнению со свободным (сферически симметричным) ионом, а заселение электроном любой из d γ-орбиталей этот комплекс дестабилизирует на 0,6Δокт. В тетраэдрическом поле порядок расщепления d -орбиталей будет обратным, а потому энергия стабилизации на один электрон будет 0,6 Δтетр, а дестабилизации – 0,4 Δтетр.
Величина понижения энергии координационного соединения в результате перераспределения d -электронов по d ε- и d γ-орбиталям называется энергией стабилизации кристаллическим полем (ЭСКП). Эта энергия зависит от числа электронов на d ε- и d γ-орбиталях и вычисляется по формулам:
где n – число электронов на нижнем подуровне, m – число электронов на верхнем подуровне.
Параметр расщепления в октаэдрическом поле больше, чем в тетраэдрическом, содержащем те же лиганды, и равен Δокт = 9/4 Δтетр
Параметр расщепления Δ зависит от размеров центрального иона, его заряда, электронной конфигурации и от природы лиганда (табл. 9.1). Экспериментально его определяют по спектрам поглощения комплексных соединений. Возбуждение электрона с нижнего уровня на верхний сопровождается поглощением энергии и появлением в спектре полосы, максимум которой соответствует энергии расщепления Δ. Значение Δ обычно выражают в волновых числах ν = 1/λ см–1 *). Большинство значений Δ лежит в пределах от 10000 до 30000 см–1.
*) 1 см–1 соответствует энергии E = h ν c = 6,26·10–34·3·1010·1 = 2,0·10–23 Дж = 11,96 Дж·моль–1 = 1,25·10–4 эВ.
В ряду 3 d -, 4 d -, 5 d -элементов при прочих равных условиях Δ увеличивается от периода к периоду на 30–35 %. Например, для
[Co(NH3)6]3+ Δ = 23000 см–1, для [Rh(NH3)6]3+ Δ = 34000 см–1, для [Ir(NH3)6]3+ Δ = 41000 см–1.
Величина Δ возрастает при переходе от комплексов двухрядных ионов 3 d -элементов к трехрядным. Так для [Fe(H2O)6]2+ и [Fe(H2O)6]3+ значения Δ равны соответственно 10400 см–1 и 13700 см–1.
Из спектроскопических измерений была найдена последовательность расположения лигандов по возрастанию их влияния на величину расщепления Δ, называемая спектрохимическим рядом:
| ||||||
Таблица 9.1 Спектрохимический ряд лигандов |
В октаэдрических комплексах, образуемых ионами с электронными конфигурациями d 4, d 5, d 6, d 7, возможно различное размещение электронов – либо высоко-, либо низкоспиновое в зависимости от параметра расщепления Δ и энергии спаривания P. Последняя определяется как разность энергий межэлектронного взаимодействия низкоспиновой (НС) и высокоспиновой (ВС) конфигураций, деленная на число спаривающихся электронов. Очевидно, что низкоспиновое состояние реализуется тогда, когда P < Δ, а высокоспиновое – когда P > Δ.
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Таблица 9.2 |
В рамках ТКП высокоспиновый комплекс с электронной конфигурацией
будет менее устойчив (ЭСКП = 0,4Δ), чем низкоспиновый
(электронная конфигурация
ЭСКП = 2,4
).
Распределение электронов между нижним (d γ) и верхним (d ε) уровнями в тетраэдрических комплексах также зависит от соотношения Δ и P, но поскольку Δтетр < Δокт, тетраэдрические комплексы обычно остаются высокоспиновыми.
В отличие от метода валентных связей, ТКП, основываясь на электронной конфигурации центрального атома, положении лигандов в спектрохимическом ряду и симметрии комплекса, позволяет не только объяснять, но и предсказывать магнитные и спектроскопические свойства комплексов.
С физической точки зрения ТКП является весьма приближенной, поскольку учитывает только электростатическое взаимодействие между комплексообразователем и лигандами. ТКП не дает объяснения устойчивости комплексов с электронными конфигурациями центрального атома d 0 и d 10, однако существование подобных комплексов легко объяснимо с позиций метода молекулярных орбиталей.
Дата добавления: 2014-12-15; просмотров: 83 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав |