Читайте также:
|
Какими причинами вызвано движение носителей заряда в биполярном транзисторе и почему он называется «биполярный»?
Движение носителей заряда может быть вызвано двумя причинами: наличием градиента концентрации носителей или наличием градиента электрического потенциала. В первом случае возникает диффузия носителей, во втором — дрейф носителей в электрическом поле. Если действуют обе причины, то полный ток носителей состоит из диффузионной и дрейфовой составляющих.
Название транзистора— биполярный — означает, что в физических процессах, проходящих в этом полупроводниковом приборе, участвуют как электроны, так и дырки.
Основные и неосновные носители в полупроводниках n- и p-типов. Что называется термином «инжекция»?
В полупроводнике р-типа основные носители — дырки, в полупроводнике п-типа — электроны.
И в электронный, и в дырочный полупроводник могут быть тем или иным способом введены неосновные носители.
Процесс введения неосновных носителей называется инжекцией. Предположим для определенности, что в поверхностный слой дырочного полупроводника осуществляется инжекция электронов. Инжектированные электроны благодаря градиенту концентрации начнут диффундировать с поверхности в объем полупроводника. В нем появится электронный ток. Избыточный заряд неосновных носителей — электронов — будет немедленно компенсирован таким же зарядом дырок, притягиваемых к поверхности из глубины полупроводника. Если инжекция неосновных носителей осуществляется постоянно под действием внешнего электрического поля, возникнут потоки электронов и дырок, направленные в разные стороны.
Неосновные носители — электроны — будут двигаться в глубь полупроводника, а основные носители — дырки — в сторону инжектирующей поверхности, вблизи которой происходит интенсивная рекомбинация дырок с электронами.
35. Приведите вертикальную структуру интегрального планарно-эпитаксиального биполярного транзистора n+-p-n-типа. Какая область транзистора называется рабочей (активной)?
Рис. 2.1. Вертикальная структура интегрального планарно-эпитакснального транзистора n+-р-n-типа
Этот транзистор изготовлен по планарно-эпитаксиальной технологии, оба р-п перехода получены диффузией примесей (вначале акцепторной в эпитаксиальный слой n-типа, затем донорной в только что сформированную область р-типа). В процессе первой диффузии формируется базовая область транзистора, р-п переход база — коллектор (коллекторный) и р-п переход эмиттер—база (эмиттерный).
Рабочей (активной) областью транзистора называется область, расположенная под донной частью эмиттера (на рис. 2.1 она заштрихована). Остальные области транзистора являются пассивными, т. е. в какой-то мере паразитными. Их наличие обусловлено конструктивно-технологическими причинами.
Дата добавления: 2015-01-30; просмотров: 168 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав |