Читайте также:
|
Полупроводниковый "плоскостной" диод представляет собой тонкую (менее 0,1мм) монокристаллическую пластинку германия Ge или кремния Si, содержащую два слоя, один из которых имеет дырочную (р-типа), а второй - электронную (n - типа) проводимость, как показано на рис.1. Эти два слоя разделены плоской и резкой границей, по обе стороны которой спонтанно формируется область шириной, практически не содержащая носителей тока - дырок в р-слое и свободных электронов в n-слое. Проводимость ее очень мала. Она называется р-n-переходом (или электронно-дырочным переходом) и является основным элементом полупроводникового диода.
У точечных диодов линейные размеры, определяющие площадь p-n перехода, такого же порядка как толщина перехода, или меньше ее. У плоскостных диодов эти размеры значительно больше толщины перехода. Точечные диоды имеют малую емкость p-n перехода и поэтому применяются на любых частотах вплоть до СВЧ. Но они могут пропускать токи не более единиц или нескольких десятков миллиампер.Плоскостные диоды в зависимости от площади перехода обладают емкостью в десятки пикофарад и более.
По этому их применяют на частотах не более десятков килогерц. Допустимый ток в плоскостных диодах бывает от десятков миллиампер до сотен ампер и больше. Основой точечных и плоскостных диодов являются пластинки полупроводника, вырезанные из монокристалла, имеющего во всем своем объеме правильное кристаллическое строение.В качестве полупроводниковых веществ для точечных и плоскостных диодов применяют чаще всего германий и кремний, а в последнее время также и арсенид галлия и карбид кремния. Поликристаллические диоды имеют p-n переход, образованный полупроводниковыми слоями, состоящими из большого количества кристаллов малого размера, различно ориентированных друг относительно друга и поэтому не представляющих собой единого монокристалла.
То́чечный дио́д — это диод с очень малой площадью электрического перехода, который может быть получен вплавлением металлической иглы с нанесенной на неё примесью в полупроводниковую пластинку с определенным типом электропроводимости.
Благодаря малой площади p-n перехода, и как следствие маленькой ёмкости перехода, точечный диод обычно имеет предельную частоту около 300—600 МГц. При использовании более острой иглы без электроформовки получают точечные диоды с предельной частотой порядка десятков гигагерц.
Малая площадь p-n перехода обуславливает также и недостатки точечного диода: максимальное обратное напряжение обычно не превышает 3—5 В, максимальный ток также сильно ограничен. Исторически точечные диоды появились раньше плоскостных, но процессы в них происходящие значительно сложнее и до сих пор полностью не изучены. Обратная ветвь вольт-амперной характеристики точечного диода имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, обусловленный тепловым пробоем - этот участок называется "участком Лосева", поскольку советский физик Лосев впервые в мире использовал в 1922 г. в схемах усилителей и генераторов (кристадины). Практическое использование точечного диода в зоне участка Лосева для генерации или усиления сигналов нецелесообразно, поскольку имеется большой разброс значений отрицательного сопротивления и координат начала и конца участка в различных экземплярах. Кроме того в таком режиме имеется малая стабильность параметров во времени и мал срок службы (из-за перенапряжённого режима); частотный предел в схемах с использованием участка Лосева невелик (десятки - сотни килогерц) из-за инерционности тепловых процессах в точечном диоде. Но принципиально явление усиления и генерации двухполюсниками, впервые использованное в точечном диоде используется в диоде Ганна, туннельных диодах и др
Дата добавления: 2015-04-20; просмотров: 283 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав |