Читайте также:
|
1) Получите у преподавателя модель исследуемого диода и подготовьте стенд к работе.
2) Включите внутренний генератор постоянного тока и снимите статическую вольт-амперную характеристику плоскостного выпрямительного диода при температуре 300К (270С).
3) Постройте вольт-амперную характеристику и сравните её со справочными данными.
4) Вычислите при одинаковом напряжении (U=1 В):
а) статическое и динамическое сопротивления в прямом и обратном направлениях;
б) коэффициент выпрямления.
5) Переключите установку на внешний генератор, получите на экране осциллографа вольт-амперную характеристику исследуемого диода, зарисуйте ее и сравните со статической характеристикой.
6) 
Проведите исследование осциллограмм выпрямленного тока на низких и высоких частотах. Зарисуйте осциллограммы выпрямленного тока при частотах 50, 1000, 10 000 Гц и оцените коэффициенты выпрямления при этих частотах
7) Переведите регулятор температуры в положение 600С, дождитесь установления в термостате заявленной температуры (5-10 минут) и проведите повторные исследования по пунктам со 2 по 6.
8) Сравните сопротивления и коэффициенты выпрямления при разных температурах. Сделайте выводы.
Контрольные вопросы
1) Какие бывают р — n-переходы по распределению концентрации примесей в р — n-областях и по методу их изготовления?
2) Объясните механизм возникновения потенциального барьера в р — n-переходе и выражение контактной разности потенциалов через концентрацию носителей в р- и n-областях.
3) Объясните на энергетической диаграмме р — n-перехода, как изменяется высота барьера р — n-перехода при приложении к нему внешнего напряжения (прямого и обратного).
4) Объясните причины, приводящие к различию между токами в прямом и запорном направлениях для плоскостного выпрямительного диода.
5) Как вычисляется ток носителей заряда через р — n-переход в случае тонкого и толстого р — n-переходов?
6) Объясните, как получается выражение для тока насыщения IS идеального тонкого р — n-перехода и каков его физический смысл?
7) Объясните уравнение вольт-амперной характеристики толстого р — n-перехода.
8) Объясните особенности вольт-амперной характеристики плоскостного выпрямительного диода.
9) Объясните возможные механизмы пробоя электронно-дырочного перехода.
10) Какова температурная зависимость обратного тока насыщения?
11) Объясните температурную и частотную зависимость коэффициента выпрямления плоскостного диода. Чем определяется верхняя предельная температура, работы выпрямительного диода и граничная частота?
12) Назовите пути повышения рабочей частоты плоскостных диодов,
13) Какими основными параметрами характеризуются выпрямительные диоды?
14) Приведите и объясните несколько видов выпрямителей с использованием полупроводниковых диодов.
15) Назовите преимущества и недостатки полупроводниковых диодов по сравнению с вакуумными.
16) Чем определяется наличие зарядной и диффузионной емкости p — n-перехода и их зависимость от величины и знака приложенного напряжения?
Дата добавления: 2015-09-11; просмотров: 92 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав |