Читайте также:
|
ВАРИАНТ № 2.
Выберите один правильный ответ
1. В полупроводнике n-типа основными носителями заряда являются:
1) Дырки
2) Ионы
3) Электроны
2 Укажите, как называется – процесс образования пары носителей заряда электрон – проводимости.
1) Рекомбинация
2) Генерация
3) Ионизация
4) Кристаллизация
3. Важнейшим показателем усилителей с линейным режимом работы является:
1) Вольт-амперная характеристика
2) Спектральная характеристика
3) Амплитудно-частотная характеристик
4. Чему равно количество свободных электронов (Nn) и дырок (Np) образующих в собственном полупроводнике?
1) Nn>>Np
2) Np>>Nn
3) Nn=Np
5. Какая область транзистора имеет наибольшую концентрацию примеси?
1) Область базы
2) Область эмиттера
3) Область коллектора
6. Указать электрическое обозначение импульсного диода.
1) 2) 3) 4)
Ответы на вопросы впишите в бланк ответов словами
7.Большая интегральная схема, выполняющая функции центрального процессора. Это?
8.Тип кристаллической решетки германия?
Выберите один правильный ответ
9. Какой пробой в полупроводнике является необратимым?
1) Лавинный
2) Туннельный
3) Тепловой
10.Электронная схема, реализованная в виде полупроводникового кристалла. Это?
1) Регистр
2) Микросхема
3) Транзистор
4) Резистор
11. При каком потенциале на сетке образуется «сеточный ток»
1) При положительном
2) При отрицательном
3) При нулевом
Ответы на вопросы впишите в бланк ответов словами
12.Какой полупроводник называется примесным?
13.Какая область диода имеет наибольшую концентрацию примесей?
Дата добавления: 2014-12-23; просмотров: 127 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав |