Студопедия
Главная страница | Контакты | Случайная страница

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Методические рекомендации к расчету

Читайте также:
  1. I ОРГАНИЗАЦИОННО-МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ВЫПОЛНЕНИЮ КУРСОВОЙ РАБОТЫ
  2. I. ОБЩИЕ МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
  3. I. Общие рекомендациик написанию курсовой работы
  4. I.Методические указания по выполнению курсовых работ
  5. I1. ОРГАНИЗАЦИОННО-МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
  6. II. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ РЕФЕРАТА
  7. II. Методические указания по прохождению учебной практики
  8. II. Организационно-методические указания
  9. III Рекомендации к написанию курсовой работы по дисциплине «Коррекционно-педагогические системы воспитания и обучения детей дошкольного возраста».
  10. III. Рекомендации по организации и проведению этапов экзамена

 

1. Выбор режима работы транзистора

 

Режим работы транзистора определяется постоянными токами и напряжениями на электродах транзистора (Uк0, iк0, Uб0, iб0). В каскаде предварительного усиления, работающего в режиме «А», постоянные составляющие выходных токов и напряжений выбираются значительно больше переменных, которые необходимо обеспечить на входе следующего каскада, для уменьшения нелинейных искажений. Минимальные значения iк0 и Uк0 ограничены, во первых, усилительными свойствами транзистора, которые ухудшаются при iк0 < 1 мА, и, во-вторых, режимом насыщения транзистора, при котором нелинейность характеристик резко возрастает при Uкэ < Uк нас, где Uк нас – напряжение насыщения транзистора, указанное в справочнике. Таким образом:

iк0 ³ (2…5)Im вх сл, iк0 ³ 1 мА;

Uк0 ³ (1,2…1,5) Uк нас + (1,5…3)Um вх сл. (13.1)

 

При выполнении условия (13.1) для каскадов предварительного усиления напряжение на коллекторе Uк0 выбирается не менее 3 –5 В с учетом следующих соображений:

· при меньших напряжениях сказывается нелинейность характеристик транзистора вблизи режима насыщения, что приводит к существенному изменению коэффициента усиления под действием дестабилизирующих факторов.

· необходимо предусмотреть запас на нестабильность точки покоя (тока iк0) при изменении температуры р – n перехода транзистора, иначе изменение коллекторного тока (при изменении температуры окружающей среды, саморазогрева транзистора, замены элементов) может привести к существенным нелинейным искажениям.

iб0» iк0 / h21э, где h21э = – средний статический коэффициент усиления транзистора, определяемый из справочника (приведен в таблице 2).

Uб0 можно определить из входной характеристики транзистора для рассчитанного тока iб0 (при отсутствие справочных данных можно взять равным 0,5 – 0,7 В).

 

2. Расчет сопротивлений схемы

 




Дата добавления: 2014-12-19; просмотров: 131 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав




lektsii.net - Лекции.Нет - 2014-2025 год. (0.007 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав