Главная страница | Контакты | Случайная страница Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Робота з радіоелементами

Тема 6

рис. 1

Рис. 1 Умовні графічні позначення в схемах електричних, радіотехнічних та автоматизації:

1 - транзистор структури р-n-р в корпусі, загальне позначення;

2 - транзистор структури п-р-п в корпусі, загальне позначення,

3 - транзистор польовий з pn-переходом і п каналом,

4 - транзистор польовий з pn-переходом і р каналом,

5 - транзистор одноперехідний з базою п типу, б1, б2 виводи бази, е - вивід емітера,

6 - фотодіод,

7 - діод випрямляючий,

8 - стабілітрон (діод лавинний випрямний) односторонній,

10 - тиристор діодний, що стирається в зворотному напрямку;

11 - стабілітрон з двосторонньою провідністю,

12 - тиристор тріодний.

13 - фоторезистор,

14 - змінний резистор, реостат, загальне позначення,

15 - змінний резистор,

16 - змінний резистор з відводами,

17 - налаштовуваний резистор-потенціометр;

18 - терморезистор з позитивним температурним коефіцієнтом прямого нагріву (підігріву),

19 - варистор,

20 - конденсатор постійної ємності, загальне позначення,

21 - конденсатор постійної ємності поляризований;

22 - конденсатор оксидний поляризований електролітичний, загальне позначення;

23 - резистор постійний, загальне позначення;

24 - резистор постійний з номінальною потужністю 0, 05 Вт;

25 - резистор постійний з номінальною потужністю 0, 125 Вт,

26 - резистор постійний з номінальною потужністю 0, 25 Вт,

27 - резистор постійний з номінальною потужністю 0, 5 Вт,

28 - резистор постійний з номінальною потужністю 1 Вт,

29 - резистор постійний з номінальною потужністю розсіювання 2 Вт,

30 - резистор постійний з номінальною потужністю розсіювання 5 Вт;

31 - резистор постійний з одним симетричним додатковим відведенням;

32 - резистор постійний з одним несиметричним додатковим відведенням;

рис. 2

Рис. 2 Умовні графічні позначення ЕРЕ в схемах електричних, радіотехнічних та

33 - конденсатор оксидний неполяризований,

34 - конденсатор прохідний (дуга позначає корпус, зовнішній елекрод),

35 - конденсатор змінної ємності (стрілка позначає ротор);

36 - конденсатор підлаштування, загальне позначення

37 - варикап.

38 - конденсатор протизавадний;

39 - світлодіод,

40 - тунельний діод;

41 - лампа розжарювання освітлювальна та сигнальна

43 - елемент гальванічний або акумуляторний;

44 - лінія електричного зв'язку з одним відгалуженням;

45 - лінія електричного зв'язку з двома відгалуженнями;

46 - група проводів, підключених до однієї точки електричного з'єднання. Два проводи;

47 - чотири проводи, підключених до однієї точки електричних з'єднань;

48 - батарея з гальванічних елементів або батарея акумуляторна;

49 - кабель коаксіальний. Екран з'єднаний з корпусом;

50 - обмотка трансформатора, автотрансформатора, дроселя, магнітного підсилювача;

51 - робоча обмотка магнітного підсилювача;

52 - керуюча обмотка магнітного підсилювача;

53 - трансформатор без сердечника (магнітопровода) з постійною зв'язком (точками позначені початки обмоток);

54 - трансформатор з магнітоелектричним сердечником;

55 - котушка індуктивності, дросель без магнітопроводу;

56 - трансформатор однофазний з феромагнітним магнітопроводом і екраном між обмотками;

57 - трансформатор однофазний триобмотковий з феромагнітним магнітопроводом з відведенням у вторинній обмотці;

58 - автотрансформатор однофазний з регулюванням напруги;

59 - запобіжник;

60 - запобіжник вимикач;

61 - запобіжник-роз'єднувач;

62 - з'єднання контактне роз'ємне;

63 - підсилювач (напрямок передачі сигналу вказує вершина трикутника на горизонтальній лінії зв'язку).

Основою можуть бути шліфовані керамічні (склокерамічні) підкладки, підкладки з листів (смуг) металу (наприклад, з залізонікелевого сплаву ковар), покриті склоемаллю, яка виконує роль діелектрика. Підкладками також можуть служити пластини монокристалічного кремнію. МКМ з такими монтажними (комутаційними) підкладками називають модулями Д-типу (MCM - D). У них провідники з міді, алюмінію або золота розташовані в різних рівнях на підкладках, а в якості міжрівневого ізолятора використовуються шари, як правило, полііміда, або бензоциклобутана, і поліпараксілілена. Різновидом МКМ Д-типу є МКМ з кремнієвими монтажними підкладками (КМП), в яких в якості діелектрика між алюмінієвими провідниками на різних рівнях металізації застосовують оксид кремнію (МКМ Si-типу або просто МКМ-Si)

Мікрокорпуси мають велику кількість виводів, а габаритні розміри їх в декілька разів менше, ніж у звичайних корпусів.

Пластмасові мікрокорпуси розраховані на встановлення напівпровідникових приладів та мікросхем з меншою кількість виводів. Такі корпуси мають меншу вартість, але забезпечують менш надійну герметизацію ніж керамічні.

До переваг мікрокорпусів треба віднести й те, що процес перевірки мікросхем перед встановленням та процес встановлення можуть бути автоматизовані.

Зараз часто використовується спосіб формування у кристала балочних виводів за допомогою стрічкового носія. На рис. 12.13, в зображений такий спосіб.

Для стрічкових носіїв використовують широку номенклатуру полімерних плівок. Найбільш відомим є поліїмідна плавка, тому що вона обладає гарними механічними якостями та теплостійкістю (дозволяє виконувати термокомпресорну зварку та пайку кремнію і золота при температурі 673К); температурний коефіцієнт лінійного розширення поліїміда близький до коефіцієнту лінійного розширення міді та алюмінію.