Студопедия
Главная страница | Контакты | Случайная страница

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

В разработке новых электронных устройств со сверхмалыми размерами, создании методов их получения и объединения в интегральные схемы

Читайте также:
  1. C) Карбоновых кислот со спиртами
  2. C.) К специфическим задачам, которые используются в ходе реализации частично-поисковых методов на уроке технологии, относятся
  3. D)практических методов.
  4. ER-модель данных («Сущность - связь»): Проект ГИС (Логическая модель (Схемы алгоритмов, Логические схемы -> Модели данных), Физическая модель -> Перечень требований КТС).
  5. I Химико-минералогические и физические превращения обжигаемого материала по длине печи при обжиге сырья для получения неорганических вяжущих веществ
  6. I. Требования Правил устройства электроустановок
  7. II. Задачи и направления деятельности методического объединения
  8. II. Классификация методов исследования ППО
  9. II. Россия при первых Романовых.
  10. II. Форма государственного устройства.

- в разработке новых микроэлектронных устройств со сверхмалыми размерами, создании методов их получения и объединения в интегральные схемы

- в разработке новых электронных устройств со сверхмалыми размерамиПолная энергия носителей в квантово-размерной пленке складывается из

77. Зависимость плотности электронных состояний от энергии в квантовой пленке имеет вид

-

- ***

-

78. Полная энергия носителей в квантово-размерной нити имеет спектр вида

-

-

- ***

79. На основе квантовых точек были созданы

- миниатюрные источники света с высоким коэффициентом полезного действия

- миниатюрные источники СВЧ излучения с высоким коэффициентом полезного действия

- миниатюрные транзисторы с высоким коэффициентом полезного действия

80. Фазовая интерференция электронных волн происходит в структурах с размерами порядка

- порядка длины частотной когерентности электрона в данном материале



Дата добавления: 2015-04-26; просмотров: 139 | Поможем написать вашу работу | Нарушение авторских прав
Часть конструкции ИС, которая защищает кристалл от внешних воздействий | Заготовка, предназначенная для изготовления на ней элементов гибридных и пленочных ИС, межэлементных и межкомпонентных соединений, контактных площадок | Диффузионные, МДП, плёночные | Изоляция диэлектрическими пленками, изоляция p–n–переходом и V-образными канавками | Один бит информации представлен наличием или отсутствием одного электрона в проводящем островке | Значительное изменение сопротивления материалов при помещении их в магнитном поле | До 100 МГц | Позитивные и негативные | Области начала кристаллизации сплавов при охлаждении | Из за неравномерности тока по сечению полупроводника происходит образование областей с большей плотностью тока |

lektsii.net - Лекции.Нет - 2014-2025 год. (0.176 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав